声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。 本文源自：市场资讯 作者：情报员 国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司；华虹半导体（无锡）有限公司申请一项 名为"一种预测焦点偏移的方法"的专利，公开号CN121398493A，申请日期为2025年9月。 专利摘要显示，本申请公开了一种预测焦点偏移的方法，包括：提供第一器件，第一器件表面形成有第 一多晶硅和第二多晶硅；确定第一多晶硅的第一厚度H1和第二多晶硅的第二厚度H2；确定第一器件中 的第一多晶硅的覆盖率C1和第二多晶硅的覆盖率C2；基于第一器件进行设计变更，以得到第二器件； 获取第二器件相对于第一器件的第一多晶硅覆盖率变化值∆C1、第二多晶硅覆盖率变化值∆C2；根据第 一厚度H1、第二厚度H2、第一多晶硅覆盖率变化值∆C1、第二多晶硅覆盖率变化值∆C2，得到零点平 面偏移量∆L；基于零点平面偏移量∆L，得到焦点偏移量∆F。本申请通过上述方案，能够在设计阶段预 测并补偿焦点偏移量，确定器件间焦点的变化，改善工艺窗口。 天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是 ...