“存储超级周期”迎核爆级强化! DRAM霸主三星利润与营收齐创新高 半导体利润猛增465%
智通财经网·2026-01-29 09:45

三星电子业绩表现 - 截至12月的三个月芯片业务部门营业利润高达16.4万亿韩元(约合114亿美元),同比暴增465%,远超分析师平均预期的10.85万亿韩元 [2] - 2025年第四季度整体营收达93.8万亿韩元,同比增长23.8%,环比增长9%;整体营业利润20.1万亿韩元,同比飙升209.2%,均创历史新高 [2] - 2025年全年营收333.6万亿韩元,营业利润43.6万亿韩元,同比分别增长10.87%和33.3% [2] - 第四季度整体净利润约为19.29万亿韩元,超过分析师平均预估的15.1万亿韩元 [3] - 公司计划回购价值约3.57万亿韩元的股票,并将第四季度派息总额提高至3.75万亿韩元 [3] 业绩驱动因素 - 存储芯片业务创下季度营收和营业利润历史新高,主要得益于HBM等高附加值产品销售扩大以及DRAM市场价格持续上涨 [2] - 已成功向英伟达交付HBM3E,并打入了谷歌和AMD的HBM独家供应链,这是重夺DRAM市场份额榜首的重要支撑 [3] - 凭借HBM技术突破和DRAM产品价格大幅上涨,在2025年Q4从竞争对手SK海力士手中夺回DRAM销售冠军宝座 [3] - AI数据中心建设热潮也在帮助提振其自身的晶圆代工业务,该业务在截至12月的三个月里销售额大幅增长,并预计当前季度继续复苏 [14] 行业需求与市场动态 - 全球AI算力需求持续指数级增长,驱动DRAM/NAND存储芯片需求激增,导致三星、SK海力士及美光科技产能长期供不应求且价格上涨速度快于预期 [4] - 微软、谷歌、亚马逊等超大规模云计算厂商持续投入数千亿美元级别支出建设AI基础设施 [4] - 用于AI训练/推理的存储组件需求强劲,但产能转向HBM等先进产品,导致用于个人电脑、智能手机的传统DRAM与NAND出现极度短缺,推动价格疯涨 [10][11] - 存储芯片制造商正将产线重新分配至盈利能力更强的HBM以满足AI数据中心需求,由于HBM需要约为标准DRAM三倍的晶圆产能,这大幅减少了消费电子行业的供应 [10] 存储类股票市场表现 - 三星电子股价在2025年已实现翻倍,2026年开年以来大涨约35% [4] - 在强劲业绩带动下,希捷股价暴涨近20%,西部数据涨超10%,闪迪涨近10%,美光涨超6% [7] - 在近一年的牛市中,希捷、闪迪和西部数据2025年股价涨幅均超过200%,其中闪迪涨幅接近惊人的600% [7] - 闪迪股价在2026年上涨幅度已高达122%,领跑标普500指数及全球科技股 [7] - 韩国Kospi综合指数2025年狂涨76%,主要因权重股SK海力士与三星电子疯涨,两大巨头累计贡献了近一半涨幅;该指数在2026年1月22日一度突破5000点创历史新高 [9] 行业前景与机构观点 - 摩根士丹利、野村及美国银行高呼AI驱动的“存储芯片超级周期”全面到来,其强度与持续时间可能远超2018年云计算驱动的周期 [9] - 野村判断此轮“存储芯片超级周期”至少持续到2027年结束,有意义的供给增加最早在2028年,因产能扩产涉及长周期设备升级与工厂建设 [17] - 花旗集团预测更为激进,将2026年DRAM平均售价涨幅预期从53%上调至88%,NAND涨幅预期从44%上调至74%;预计服务器DRAM的ASP将同比暴涨144% [18] - 花旗预测以64GB DDR5 RDIMM为例,其价格将在2026年第一季度达到620美元,环比增长38%;企业级SSD的ASP预计将同比增长87% [18] - 行业分析师认为AI基础设施建设可能永久性改变存储芯片的强周期性本质,将价格底部永久性抬高,此轮深刻变化可能持续两到三年 [12][13] 公司战略与竞争格局 - 三星计划扩大与AI训练/推理相关芯片的销售规模,并有望在第一季度开始向英伟达交付其下一代高带宽存储系统HBM4 [1] - 市场焦点集中在下一代HBM4领导权之争上,HBM4将与英伟达即将推出的旗舰Rubin AI算力基础设施全面集成;三星正接近获得英伟达对其独家HBM4存储系统的认证 [12] - SK海力士、三星及美光三大存储芯片原厂将多数产能集中于HBM存储系统,因其制造、封测复杂度远高于DDR及HDD/SSD系列,这导致硬盘类存储产品供不应求 [12] - 希捷的近线HDD产能“已全部售罄至2026年全年”,预计将在未来几个月开始接受2027年上半年的订单 [17]