行业背景与替代需求 - 随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体是重要方向之一 [1] 技术突破详情 - 南京大学与东南大学合作团队创新研发出“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题 [1] - 传统金属有机化学气相沉积技术受反应动力学限制，薄膜生长速率慢，且前驱体分解会产生含碳杂质，严重影响薄膜质量 [1] - 新技术通过引入氧气辅助，在高温下让氧气与前驱体中的碳元素结合，有效减少了碳污染 [1] - 采用新技术试制的6英寸二硫化钼薄膜，其生长速率较传统方法提升了两到三个数量级 [1] 产业化进展与未来规划 - 研究团队已掌握二维半导体的衬底工程、动力学调控等产业化关键技术 [2] - 由于当前硅基半导体产线主要使用12英寸薄膜，团队正加紧研发新型气相沉积设备，下一步将尝试规模化制备12英寸二硫化钼薄膜 [2] 技术突破的意义与评价 - 此次研究攻克了传统金属有机化学气相沉积技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题 [2] - 国际顶级学术期刊《科学》的审稿人认为，该研究对加快推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义 [2]