文章核心观点 - 全球存储板块经历短期市场“错杀”后大幅反弹，凸显市场对存储领域看涨情绪依然狂热 [1] - 华尔街主流投行（瑞银、高盛、摩根士丹利、野村、美国银行、摩根大通、花旗）普遍认为，由AI驱动的存储芯片（特别是HBM、服务器DRAM、企业级SSD）超级周期已经到来，其强度和持续时间可能远超以往 [16][19] - 尽管HDD（尤其是数据中心大容量近线HDD）行业短期景气度强劲，但机构认为其估值已处高位且具周期性，长期超额收益机会更倾向于存储芯片原厂（三星、SK海力士、美光） [1][6][10] 市场表现与情绪 - 韩国Kospi指数在周一暴跌超5%后，周二大举反弹近7% [1] - 美国存储公司西部数据周一股价大涨7.99%至270.23美元，盘中涨幅一度超10%，完全覆盖上周五暴跌区间 [1][6] - 高盛认为上周五美股及周一亚洲存储板块下跌是对强劲基本面的误读 [6] - 华尔街对于存储芯片领域的看涨情绪越来越癫狂 [18] HDD（硬盘驱动器）行业分析 - HDD行业，尤其是数据中心大容量近线（Nearline）HDD，仍处于供应偏紧、需求强劲的上行周期 [1] - 行业由希捷与西部数据两大寡头垄断，呈现“少寡头+供给纪律+技术迭代”格局 [9] - 瑞银将西部数据12个月目标价从230美元上调至285美元，但维持“中性”评级，认为其估值与市场情绪已充分定价好消息 [1][6] - 西部数据估值倍数从23倍被下调至15倍，理由是采用更长期的标普隐含倍数假设，而非过去3年亢奋的估值水平 [9] - 西部数据被定位为“行业争论型”标的，其独家HAMR技术推进存在不确定性，且风险回报不便宜 [10] - 瑞银短期可聚焦希捷与西部数据作为“存储景气度周期类型短期交易主题” [6] 存储芯片（DRAM/NAND/HBM）行业分析 - AI算力需求呈指数级增长，算力供给远跟不上需求，推升存储芯片需求至前所未有的高度 [16] - DRAM合约价格未跌，反而迎来更猛烈上涨预期。高盛大幅上调2026年一季度DRAM价格涨幅预测至环比90-95% [6] - HBM需求强劲，SK海力士在HBM份额上领先，三星电子HBM4业务进展顺利 [9] - 存储芯片制造商将产线重新分配至盈利能力更强的HBM，由于HBM需要约标准DRAM三倍的晶圆产能，这大幅减少了对消费电子行业的供应，可能导致PC制造商等面临两位数涨价 [18] - 三大存储芯片原厂（三星、SK海力士、美光）同时卡位HBM、服务器DRAM（DDR5/LPDDR5X）及高端企业级SSD，是“AI内存+存储栈”最直接受益者 [17] - 产能扩张受限：野村判断存储芯片超级周期至少持续到2027年，有意义的供给增加最早在2028年，因产能扩产涉及洁净室、先进制程良率、工厂建设等长周期约束 [19] 机构价格预测与前景展望 - 高盛：预计2026年一季度DRAM（包括DDR4和DDR5）价格环比涨幅将高达90-95% [6] - 摩根大通：预计2026年NAND行业混合平均销售价格（ASP）将同比大幅上涨40%，2027年将长期维系在历史高位附近；认为企业级SSD（eSSD）在AI推理时代重要性不亚于HBM [19][20] - 花旗集团：激进看涨，将2026年DRAM的ASP涨幅预期从53%上调至88%，NAND涨幅预期从44%上调至74% [20] - 预计2026年服务器DRAM的ASP将同比暴涨144%（此前预测+91%） [21] - 预测64GB DDR5 RDIMM价格在2026年第一季度达到620美元，环比增长38% [21] - 预计企业级SSD的ASP在2026年将同比增长87% [21] - 行业共识：AI驱动的存储芯片超级周期强度与持续时间可能远超2018年云计算驱动的存储牛市 [16]