公司动态：三星电子HBM4量产与产品发布 - 三星电子已开始大规模生产HBM4高带宽内存，并向客户交付了商业产品，从而提前进入HBM4市场 [1] - 公司采用了其第六代10纳米级DRAM工艺（1c），在量产之初即实现了稳定的良率，无需额外重新设计 [1] - 三星计划通过与全球GPU制造商和专注于下一代专用集成电路开发的超大规模云服务商的讨论，扩大与关键合作伙伴的技术合作 [6] 产品性能与技术规格 - HBM4的处理速度达到每秒11.7吉比特，高于8Gbps的行业标准，相比HBM3E最高9.6Gbps的引脚速度提升了1.22倍，其设计最高可达13Gbps以缓解AI模型扩展时的数据瓶颈 [2] - 与HBM3E相比，HBM4每堆栈的总内存带宽提升了2.7倍，最高可达每秒3.3太字节 [2] - 采用12层堆叠技术，三星将提供容量从24GB到36GB的HBM4产品，并计划通过16层堆叠提供高达48GB的容量选项，以配合客户的时间表 [3] - 为解决数据输入/输出引脚从1024个翻倍至2048个带来的功耗和散热限制，公司在核心芯片中集成了低功耗设计措施 [3] 能效与散热改进 - 通过低电压硅通孔技术和电源分配网络优化，HBM4的能效提升了40% [4] - 与HBM3E相比，HBM4的热阻改善了10%，散热能力提升了30% [4] - 公司将HBM4在性能、能效和可靠性方面的提升，与数据中心GPU吞吐量的提高以及总体拥有成本管理的改善联系起来 [4] 生产制造与供应链优势 - 三星指出其制造资源，包括DRAM产能和专用基础设施，是在HBM4需求增长中保障供应链韧性的基础 [5] - 公司强调其晶圆代工和内存业务之间的设计技术协同优化是支持产品质量和良率的一个因素 [5] - 三星引用了其内部先进的封装能力，作为缩短生产周期和减少交付时间的手段 [5] 技术战略与客户需求 - 公司没有采用利用现有成熟设计的传统路径，而是跨越式地采用了最先进的节点，如1c DRAM和4纳米逻辑工艺用于HBM4 [6] - 通过利用其工艺竞争力和设计优化，公司能够确保显著的性能余量，从而在客户需要时满足他们对更高性能日益增长的需求 [6]