行业动态与战略转向 - 面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士的战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业“超级周期”红利 [1] - 全球AI数据中心扩张带来服务器芯片需求井喷，是驱动本轮提速扩产的核心背景 [1][3] 公司扩产具体计划 - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原定竣工日期（明年5月）提前至明年2-3月 [1][2] - 三星电子将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月 [1][2] - 两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存） [1][2] - 三星电子在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代（1c）DRAM生产线，该产线月产能预计达10万至12万片晶圆 [2] 产能与需求数据 - 市场研究机构Omdia数据显示，三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至2025年的817.5万片，SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片 [3] - 花旗集团预测，2025年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，需求持续超过供应 [1][3] - 截至2025年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较2024年四季度进一步加剧 [1][3] - 三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收 [1][3] 市场前景与资本支出 - 晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年 [1][4] - DS投资证券表示，如果2027年供应增长仅为1%，本轮DRAM周期将至少持续到2027年，价格上涨预计将持续至2026年三季度 [4] - 三星电子和SK海力士均表示将增加2025年的资本支出以应对内存短缺 [4] - 三星电子内存事业部副总裁表示，计划在2026年大幅扩大设备投资规模，但2025年和2026年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧 [4][5]