专利技术核心 - 南昌大学与江西彩虹光伏有限公司联合申请了一项关于“一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法”的专利，公开号为CN121531846A，申请日期为2026年1月 [1] - 该专利涉及太阳电池技术领域，旨在实现硅异质结太阳电池的无银制造，无需在焊料中引入稀贵金属铟 [1] 技术方案细节 - 该太阳电池的关键结构是在硅异质结太阳电池表面与低温焊料栅线之间增加一层合金薄膜过渡层 [1] - 合金薄膜过渡层的成分按质量百分比计为含铜和/或镍95-100%、锡0-5% [1] - 该过渡层采用离子溅射沉积方法生长，厚度为20-100纳米 [1] - 所使用的低温焊料为低熔点合金焊料，其成分按质量百分比计为含锡40-99%、铅0-40%、铜0-1% [1] 工艺优势与影响 - 应用该专利技术，可在保持丝网印刷栅线制备工艺优势的条件下，实现硅异质结太阳电池的无银制造 [1] - 该技术通过引入合金薄膜过渡层和特定的低温焊料组合，替代了传统工艺中对贵金属银和稀有金属铟的依赖 [1]