行业供需与价格趋势 - 受AI客户强劲需求推动且供应增长有限，内存价格年内可能持续上涨 [1][2] - 全行业洁净室空间短缺加剧供应限制，为价格上涨创造了有利环境 [1][2] - 客户意识到短期内产能无法显著增加，导致内存订单出现实质性“重复下单”的可能性较低 [1][2] 公司库存与议价能力 - SK海力士的DRAM和NAND闪存库存已降至约四周的供应量 [1][3] - 库存水平精简且预计全年下降，增强了供应商的议价能力 [2][3] - 在此背景下，公司正与主要客户讨论多年期长期合同，以最大化未来需求稳定性 [2][3] 产品结构与技术路线 - 当前传统DRAM的供需紧张状况，可能为2027年HBM业务的扩张带来更有利的条款 [1][3] - 2026年1c纳米工艺产能爬坡将主要应用于传统DRAM，HBM的大规模应用预计从2027年开始 [1][4] - 公司预计到今年年底，超过一半的传统DRAM将采用1c纳米节点 [4][5] 资本支出与投资重点 - 公司预计今年资本支出将比去年有所增加，同时坚持资本支出纪律 [5] - 资本支出重点仍将放在HBM和传统DRAM上，NAND资本支出的比例预计保持稳定 [5] - 高盛预计公司今年总资本支出将同比增长36%，达到38万亿韩元 [5]