三星电子潜在罢工事件影响 - 三星电子工会以93.1%的赞成率通过集体斗争行动议案，计划于4月23日举行集会，并在5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工 [1] - 若罢工举行，可能影响三星韩国平泽半导体园区的芯片生产线，冲击DRAM、NAND闪存及HBM芯片的产能释放，且产线复产过程耗时耗力 [1] - 2025年第四季度，三星电子在全球DRAM市场份额为36.6%，在全球NAND市场份额为28%，其可能的停产风险或将加剧全球存储芯片供应紧张 [1] 全球存储市场格局与趋势 - 2026年以来，在AI强劲需求推动下，存储芯片市场呈现供需偏紧格局，价格不断上涨 [1] - 存储的涨价和高景气度有望贯穿2026年全年 [2] 国内存储厂商发展现状与前景 - 按出货量统计，长鑫科技已成为全球第四的DRAM厂商 [2] - 按2025年第二季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已达3.97% [2] - 国产3D NAND产品在2025年已实现232层闪存的量产并继续向更高堆叠层数迭代 [2] - 国产DRAM产品已实现主流第四代、第五代DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等的量产 [2] - 国内存储大厂的产能扩张及技术迭代有望在“十五五”期间加速，全球市占率有望持续提升 [2] - 三星电子可能的总罢工对国内存储大厂而言是扩大市场、提升市占率的机会 [2] 产业链上游材料与设备机遇 - 看好存储大厂扩产带来的需求增量，材料及零部件端核心供应商的成长性及向上空间具有较强的确定性 [3] - 存储器件的3D化将大幅提升晶圆制造工艺相关的半导体材料用量，薄膜沉积、CMP、刻蚀、电镀等均是受益环节 [3] - 耗材的用量将在制程进步和技术迭代下获得额外的加成系数 [3] - 看好国内存储大厂成为半导体耗材重要的需求驱动力 [3]