公司信息 - 芯联集成证券代码为688469，上市地为上海证券交易所[1] - 上市公司为芯联集成电路制造股份有限公司，标的公司为芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司[17] 交易情况 - 公司拟发行股份及支付现金向15名交易对方购买芯联越州72.33%股权，交易价格589,661.33万元[21] - 本次交易股份对价合计530,695.20万元，现金对价合计58,966.13万元[24] - 公司拟发行1,313,601,972股，占发行后总股本的15.68%[26] 产能情况 - 公司母公司8英寸晶圆产能为10万片/月，芯联越州8英寸IGBT和硅基MOSFET产能为7万片/月，6英寸SiC MOSFET产能为8千片/月[28] - 2024年1 - 10月，标的公司硅基产线的产能利用率达到66.50%，化合物类产线已满产[44] 产品情况 - 芯联越州SiC MOSFET产品90%以上应用于新能源汽车主驱逆变器，2023年及2024年上半年车载主驱6英寸SiC MOSFET出货量国内第一[29] - 2024年4月芯联越州8英寸SiC MOSFET工程批下线，预计2025年量产[29] 财务数据 - 2024年10月31日，归属母公司股东的所有者权益交易前为1,198,316.09万元，备考数为1,362,113.30万元，变动率13.67%[35] - 2024年1 - 10月，归属母公司股东的净利润交易前为 - 73,901.48万元，备考数为 - 136,673.00万元[35] - 2023年度及2024年1 - 10月标的公司息税折旧摊销前利润分别为2.79亿元和5.20亿元，EBITDA利润率分别为17.89%和28.93%[42] 未来展望 - 标的公司2025 - 2027年6英寸及8英寸碳化硅晶圆及模组需求量预测合计超过100亿元，2025 - 2027年IGBT及硅基MOSFET需求量预测合计超过100亿元[48] - 2025年公司降本措施61项，降本目标约5亿元（公司及上市公司一期硅基晶圆产线）[54] 技术研发 - 公司8英寸SiC MOSFET产线2024年4月工程批下线，预计2025年上半年风险量产，三季度规模量产[53] - 公司同步研发8英寸沟槽栅碳化硅技术[199] 股东情况 - 上市公司单独持股5%以上股东越城基金、中芯控股等原则性同意实施本次交易[58] - 交易对方因本次交易取得的上市公司股份锁定期为自股份发行结束之日起12个月内及直至满足特定情形之一（孰早为准）[66] 交易风险 - 本次重组存在审批、未设置业绩承诺、标的评估、摊薄即期回报等风险[14] - 中国大陆晶圆代工厂在功率器件领域产能布局较多，未来公司可能面临产能过剩、竞争激烈的市场环境[84]