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摩根士丹利:存储芯片展望-此轮周期呈 W 型复苏
摩根·2025-05-16 13:29

报告行业投资评级 - 行业评级为谨慎(C),分析师认为行业覆盖范围在未来12 - 18个月的表现与相关广泛市场基准相比需谨慎看待 [7][65] 报告的核心观点 - 内存周期通常由供应驱动,但此次是需求主导的周期,上半年囤货下半年回调,需求的清晰度是关键障碍,预计此次为W型周期 [1] - 内存股票虽已收复4月2日以来的全部失地,但下半年复苏可能性不大,因实际需求前景恶化,AI服务器的强劲表现难以抵消增长收缩 [2] - 预计内存股票将继续区间交易,DRAM目前看似见顶,三星虽失宠但估值处于周期低谷,海力士因HBM领导地位享有溢价 [5] 根据相关目录分别进行总结 市场表现与宏观影响 - 全球内存股票在经历约18%的回调后,4月市场和内存反弹,主要得益于关税暂停、经济数据向好以及一季度财报季表现积极,但下半年仍需应对宏观和地缘政治风险对OEM客户采购行为的影响 [9] - 关税囤货和实体经济的全面影响仍未显现,二季度内存定价动态向好,但到三季度会减弱,四季度可能转为负面,不过随着时间推移,健康的供需动态将有助于行业在2026年上半年触底 [10] 价格走势分析 - 2025年二季度DRAM合约价格上涨5%,DDR4因主要生产商年底逐步淘汰而上涨20%,三季度持平,四季度可能下跌;NAND合约二季度上涨6%,三季度上涨4%,若减产持续,四季度可能持平 [3] - 定价目前强劲,但未来三个月预计恶化,历史上关税会在几个月后推高价格,几个季度后压低增长,DDR4虽二季度价格反弹,但下半年预计减弱 [13] 各细分市场情况 DRAM市场 - 2025年三季度DRAM情况或好于预期,供应商试图提高价格,智能手机和PC DRAM二季度合约谈判进展良好,预计环比上涨3 - 8%,三季度仍有提价目标;服务器DRAM二季度环比上涨3%,中国市场表现优于美国;现货市场情绪持续改善,但合约定价市场仍面临挑战 [18] - 由于三星和海力士计划停产DDR4,二季度DDR4/LPDDR4x价格环比上涨20%,市场积极补充库存,短期内对南亚科技最有利 [18] NAND市场 - NAND 3Q25晶圆价格环比上涨约4%,供应纪律可能持续到下半年,为周期提供下行缓冲;二季度得益于主要供应商减产,价格走势向好;四季度目前看似持平,可能需要进一步减产以抵消消费者需求疲软 [20] - eSSD需求受美国CSPs前景强劲推动,预计下半年保持强劲;智能手机客户库存水平较低,二季度UFS/eMMC合约价格环比上涨5%,渠道价格涨幅超10%,下半年需求可见性因关税不确定性仍较低;PC需求因一季度以来的激进拉货,下半年可能暂停;现货市场势头近期放缓 [23] HBM市场 - 将2025年HBM需求预期从183亿Gb下调至155亿Gb,市场仍存在严重供过于求问题,尽管优质供应不足;调整了对三星HBM利用率的假设,因其在HBM3E 12hi的NVIDIA资格认证过程以及2025年下半年HBM4方面存在不确定性 [27][30] 投资建议 - 战术上看好HBM而非大宗商品,基于估值原因对三星维持增持评级,AI主题积极,NOR闪存看好旺宏和兆易创新,DRAM方面看好DDR4相关的旺宏、兆易创新和南亚科技,NAND看好祥硕、群联电子和朗科科技 [31][32][33]