报告行业投资评级 * 报告未明确给出统一的行业投资评级，但通过对各细分市场的分析，整体呈现谨慎乐观态度，认为市场处于去库存、结构改善和AI驱动的转型期 [6] 报告核心观点 * 宏观经济承压但出口结构改善，全球制造业PMI多数处于收缩区间，中国电子类产品出口连续增长且向高附加值倾斜 [6] * 存储行业上游呈现结构性紧张与分化，DDR4产能集中导致供应紧张，NAND Flash低容量颗粒因原厂减产而紧缺，BT载板等材料短缺加剧供应链压力 [6][29][35][59] * 现货市场经历6月暴涨后于7月震荡回调，DRAM价格回落，NAND价格持稳，消费级市场进入淡季，各方观望情绪浓厚 [6][67][83] * AI是核心驱动力，推动HBM、DDR5、LPDDR5X等高性能内存需求，并带动AI服务器与AI PC的增长，而低端消费电子市场则面临成本与断供挑战 [6][31][34][44] 宏观经济 * 全球制造业PMI多数收缩：欧元区7月制造业PMI为49.8，仍处收缩区间但为2022年7月以来最慢收缩速度 [7]；美国7月ISM制造业PMI降至48，连续第五个月萎缩 [8]；韩国7月制造业PMI降至48，连续第六个月下降 [11]；日本7月制造业PMI意外降至48.8，13个月来首次跌破荣枯线 [15]；中国7月制造业PMI为49.3%，比上月下降0.4个百分点 [17] * 中国电子进出口回暖且结构优化：6月中国中央处理部件出口353万台，环比增10.6%；存储部件出口1813万台，环比增15.6%；笔记本电脑出口1279万台，环比增26%；平板电脑出口980万台，环比增3.7% [22] * 韩国出口受半导体驱动增长：7月韩国出口额达608.2亿美元，同比增长5.9%，其中半导体出口同比增长约31% [28] 上游市场：DRAM * DDR4供应集中，南亚科成主力：随着三大原厂逐步停产DDR4，南亚科成为8GB DDR4主流容量最大供应商，月产能约5万至10万片，掌握价格话语权 [29][31]；华邦电预计10月开始供应8GB DDR4，但月产能仅2000至5000片，规模较小 [31] * DDR5渗透率快速提升：2025年第二季度PC市场中DDR5渗透率已达60%，预计第三季度将达75%以上，在高端消费级和服务器市场甚至达到90% [32] * 应用市场分化明显：服务器市场已基本完成向DDR5切换，但工控、电视、网通等领域因升级成本高，仍大量使用DDR3/DDR4 [31][32] * LPDDR4X供应紧缩，价格持续上涨：原厂减少旧世代产品生产，导致LPDDR4X供应紧张，合约价攀升，预计涨势持续至明年年初，给中低端智能手机带来成本压力 [33][34][35] 上游市场：NAND Flash * 第三季涨价确定，低容量涨幅显著：业界预测第三季NAND Flash涨价，其中512Gb以下产品预估涨幅超过15%，1Tb以上高容量产品涨幅在5%至10%之间 [35]；256Gb、512Gb与1Tb TLC Flash Wafer价格已分别上涨至每片2.8美元、3.05美元与5.60美元 [35] * 低容量紧缺原因多重：利润偏低导致原厂首选减产、中低容量应用需求稳定、制程转向高容量QLC、渠道库存水位低、前期跌幅大提供反弹空间 [35][36] * 市场进入量缩价扬格局：原厂通过产能管控成功推升价格，供应紧张态势预计延续至2025年下半年甚至2026年 [36] 上游市场：原厂动态 * 三星电子：第二季度营业利润4.7万亿韩元，同比下降55.23% [39]；内存业务积极扩大HBM3E和大容量DDR5销售 [39]；计划2026年3月开始建设V10 NAND闪存生产线，商业化400层NAND [38]；成功突破1c DRAM制程良率门槛，计划导入HBM4 [39] * SK海力士：第二季度营业利润9.2129万亿韩元，营业利润率41% [43]；DRAM出货量环比增长约20%，NAND出货量增长超过70% [43]；利川M16工厂月均晶圆投入量达17万片，较去年同期增长约70% [41]；加速M15X工厂建设，预计2027年达产 [43] * 美光科技：正在交货全球首款采用1γ制程的LPDDR5X内存产品 [37]；预计为三星Galaxy S25系列供应60%的LPDDR5X DRAM [37] * 国产存储进展：长鑫存储DRAM月产能约为20万片，计划年底提升至约25万片，受美国制裁影响产能扩张低于预期 [49]；长江存储（YMTC）正建设全国产设备生产线，目标月产能20万片，并设定了2026年底全球NAND市场份额15%的目标 [50] 上游市场：供应链（晶圆代工、主控、PCB） * 成熟制程晶圆代工需求疲软：受终端应用复苏不如预期影响，IC设计企业大幅削减成熟制程投片量，第三季投片量比第二季锐减二至三成，联电、世界先进、力积电等厂商产能利用率下滑，面临毛利率压力 [51] * 存储主控芯片需求回暖：慧荣科技第二季度营收1.98亿美元，季增19%，其中PCIe Gen5 SSD控制芯片营收季增逾75% [55]；慧荣推出采用4nm工艺的MonTitan SM8466 PCIe Gen6 SSD控制器 [54] * BT载板严重缺货涨价，传导至封装环节：BT载板因原料高阶玻纤布供应排挤而严重缺货，价格已调涨1至2成 [59][60]；封装厂因成本压力通知客户BGA封装价格上调至少1成 [60]；BT载板成本在BGA封装中占比达3成以上 [60] 国内现货市场 * DRAM市场震荡回调：7月内存现货价格从6月暴涨后回落，DDR4单周最大跌幅达11% [83]；市场进入分化走势，DDR4价格小幅下滑，DDR5价格因供应趋紧而缓涨 [83] * NAND Flash市场量缩价扬：Flash颗粒市场呈现“低容量收紧，高容量稳定”走势，现货市场库存见底 [72]；SSD市场变化不大，品牌SSD低容量产品偶有上涨，高容量缓跌，渠道商备货谨慎 [79] * USB/TF卡市场进入淡季：7月需求平淡，价格平稳，交易以刚需为主，业者普遍观望 [91] * 市场趋势展望：消费级存储产品朝大容量发展，DDR5凭借供应稳定优势加快渗透 [94]；供应链库存水位普遍较低，短期内价格难以下跌，但需求博弈下将维持震荡 [95]；行业面临洗牌，资本化运作和交易规范化趋势明显 [95] 应用市场 * PC市场：上半年出货超预期，但受关税影响，下半年预期趋缓 [6]；美国市场因关税扰动，第一季度出货年增14.7%，但预计下半年进入库存去化 [105]；AI PC成为新增长点，带动高性能内存和SSD需求 [6][63] * 服务器市场：AI服务器是核心增长点，带动HBM、高容量DDR5等高性能内存需求 [6][44]；NVIDIA计划2025年生产60万至80万块新型SOCAMM内存用于AI产品 [109] * 智能手机市场：2025年第二季度全球智能手机出货量仅年增1%，需求疲软 [111]；低端产品受LPDDR4X断供影响，面临成本与技术迁移挑战 [6][34]；中国市场第二季度出货量年减1%，拖累整体表现 [111]