报告行业投资评级 - 强于大市（维持）[2] 报告的核心观点 - AI驱动本轮存储高景气周期，区别于以往的库存周期，是结构性需求重构[4] - 存储芯片涨价趋势有望延续，DRAM和NAND均面临结构性供应紧张[4] - 存储行业高景气叠加自主可控趋势，大陆存储厂商扩产动力充足，看好国产存储产业链[4] 根据相关目录分别进行总结 一、 AI需求爆发驱动存储行业“超级周期” - 存储需求从传统的“容量驱动”转变为“容量+带宽+延迟”等性能驱动[9] - AI服务器对DRAM的需求量是普通服务器的8-10倍[9] - 根据TrendForce数据，2026年AI服务器出货量预计同比增长20.9%，占所有服务器比重提升至17.2%[9] - AI推理驱动云厂商资本开支提升，全球数据生成量2024-2029年复合增速约为25%[12] - HBM在DRAM市场销售额占比从2023年的8%提升至2025年的33%，2026年预计将突破41%[13] - 全球HBM收入预计从2024年的170亿美元提升至2030年的980亿美元，复合年增长率达到33%[24] - HBM在DRAM市场中的收益份额预计将从2024年的18%扩大到2030年的50%[24] 二、 结构性供应紧张驱动存储价格延续上涨 （一） DRAM：海外存储厂商产能向更先进制程倾斜，供给偏紧格局延续 - 三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，导致DDR4等旧制程产品供应趋紧[17] - 2024年全球出货的消费PC中，仍有60%配置DDR4内存[17] - 根据TrendForce最新数据，2026Q1一般型DRAM合约价格将环比上涨55%-60%[17] - 2026年三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂的晶圆总产出预计同比增长约5%达1800万片，但仍难以满足市场需求[54] - 三星2026年资本开支预计为200亿美元，同比增11%，主要用于HBM的1C制程渗透[19] - SK海力士2026年资本开支预计为205亿美元，同比增17%，用于应对HBM4产能扩张[19] - 美光科技2026年资本开支预计为135亿美元，同比增23%，专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置[19] - 存储涨价影响消费电子，智能手机中内存占比从10%-15%提升至20%以上，中低端机型内存成本占比超过34%[23] （二） NAND：供给调整+企业级需求旺盛，价格上涨有望延续 - 根据Yole数据，2024-2030年NAND市场需求量复合增速预计达到21%[36] - 数据中心对NAND需求近5年CAGR达到26%，其中超过50%由AI负载直接驱动[36] - 自2025年7月以来，NAND Flash Wafer价格快速提升，以1TB TLC为例，价格从2025年7月的5.6美元涨至2026年1月初的15美元，涨幅超过100%[38] - 渠道市场SSD 1TB PCIe 3.0价格从2025年7月15日的42美元涨至2026年1月13日的110美元，涨幅高达162%[38] - AI驱动下数据分层结构转变，热、温、冷三层数据比例有望从20%：30%：50%变化至30%：60%：10%[42] - HDD交付周期延长至52周以上，加速CSP对SSD的应用[50] - AI服务器有望快速增长，预计2024-2030年CAGR约为20%[53] - 未来AI服务器将长期消耗约1/3的企业级SSD出货量[53] 三、 国产化提速，看好国产存储产业链 （一） 自主可控+景气周期确定，大陆存储扩产动力充足 - 长鑫科技IPO拟募资295亿元，重点用于DRAM产线升级、技术研发与前沿布局[4][55] - 长鑫科技DDR5产品已完成量产，性能达国际先进水平[54] - 长鑫科技LPDDR5X产品最高速率较上一代提升约66%，功耗较LPDDR5降低30%[54] - 预计到2025年底，长鑫科技总产能将从2024年的20万片/月增至30万片/月，总产能占全球产能比重达15.60%[55] - 预计到2025年末，长鑫科技DDR5市场份额将从年初的1%提升至7%，LPDDR5市场份额将从0.50%提升至9%[58] - 长江存储重点推进3D NAND芯片产能爬坡，计划通过三期项目将总产能提升至15万片/月，力争2026年占据全球NAND闪存市场15%份额[58] - 长江存储自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，产能设备国产化率达45%[58] （二） 产业链：涨价周期叠加扩产周期共振，关键环节有望受益 - 设计环节：海外巨头收缩成熟制程产能，利基型DRAM市场供不应求，兆易创新、东芯股份等有望受益[61] - 设计环节：澜起科技MXC芯片已被三星、SK海力士采用，用于其最新的CXL内存产品[61] - 设备环节：DRAM产业资本支出在2025年预计达537亿美元，2026年预计进一步成长至613亿美元，年增14%[64] - 设备环节：NAND Flash资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%[64] - 设备环节：3D NAND存储晶圆制造设备市场规模预计由2019的102亿美元增长至2025年的175亿美元，年复合增长率9%[67] - 模组环节：江波龙2025H1企业级存储业务收入同比增长138.66%至6.93亿元[75] - 模组环节：江波龙2025年12月拟定向增发37亿用于AI高端存储器研发、半导体存储主控芯片研发、半导体存储高端封测建设等项目[75][77] - 封测环节：HBM/3D NAND需求增长，硅通孔（TSV）、混合键合等先进封装技术导入，单位封测价值提升[77] 四、 投资建议 - 看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺技术进步带来的价值量提升[82] - 建议关注相关ETF如国联安半导体ETF、华夏国证半导体芯片ETF、嘉实上证科创板芯片ETF等[4][82]