核心观点 - 报告认为，AI推理拐点已至，Agent时代到来，将重构AI硬件消耗与上游产业链格局，驱动AI PCB市场快速增长[1] - 报告指出，AI存储需求持续高增长，供需缺口预计持续到2027年，存储价格已涨至高位，长期协议（LTA）锁价将维持存储原厂高毛利率[2] - 报告建议关注算力、PCB和存储产业链相关投资机会[3] AI 创新：Agent时代到来，AI PCB市场快速增长 Agent时代到来与产业影响 - 随着模型能力提升和推理成本下降，大模型正加速迈向规模化商业落地，AI推理拐点已至，Agent时代到来[1][15] - Harness工程基础设施赋予模型行动能力，形成数据飞轮，其带来的长复杂任务模式将重构AI硬件消耗与上游产业链格局，拉高总算力需求，并提升对高性能存储、CPU和高速互联芯片的需求[1][18][22] - 模型厂商年度经常性收入（ARR）呈指数级增长，例如Anthropic ARR在2026年4月已超300亿美元，OpenAI在2026年3月月收入达20亿美元，标志着AI应用进入任务付费阶段[24] - 云厂商云收入与利润均环比增长，2026年第一季度亚马逊、谷歌、微软三家云收入合计超900亿美元，同时云厂商资本开支持续高增，预计2026年Meta、Amazon、Google、Microsoft和Oracle的资本开支同比分别增长约90%、58%、104%、78%和213%[24][25][32] AI PCB市场成长驱动与规模 - AI PCB市场在服务器、交换机、光模块、存储模组等多领域共同驱动下成长迅速[1] - 服务器方面，英伟达Rubin系列新增midplane/CPX/正交背板，谷歌TPU v7和AWS Trainium3架构升级，均带来PCB规格和价值量提升[38][41][43] - 交换机端口速率持续提升，驱动PCB规格升级，预计2029年1.6T及以上端口交换机的市场规模占比将超70%，对应PCB层数从100G的22-28层提升至1.6T的46-52层[46][50] - 光模块需求旺盛且技术升级，1.6T光模块出货量预计2026年将突破2000万只，其PCB层数升级为12层，材料升级至M8，线宽/线距缩窄至25/25μm，带来量价齐升机遇[50][51] - AI存储模组PCB规格显著升级，下一代产品线宽最低缩窄至50μm，并导入低介电常数等高端材料[53] - 据测算，AI PCB整体市场规模预计从2026年的181.4亿美元增长至2027年的383.1亿美元，同比增长111%，其中AI服务器PCB、AI交换机PCB、光模块mSAP PCB市场2027年预计分别达292.6亿、42.9亿、31.4亿美元[54][55] PCB制造工艺与材料升级 - PCB制造工艺中，改良型半加成法（mSAP）因线路精度高、信号损耗低，正随着光模块、存储及CoWoP封装对高密度布线要求提升而迎来高速发展期，渗透率持续提升[1][57] - mSAP工艺在光模块、DDR5内存、英伟达SOCAMM2模组以及CoWoP封装中应用，能够有效提升布线密度和芯片封装集成度，打开新的成长空间[63][65][67] - 具备mSAP能力的PCB厂商正加速扩张产能，行业处于资本开支高峰期，产业链同步受益[69][71][72] - 覆铜板（CCL）作为PCB核心原材料，在AI需求推动下向高频高速化演进，M8等级成为AI服务器PCB主流材料，并有望向M9、M10迭代[1][75][78] - 低端CCL价格持续上涨，行业头部厂商如建滔积层板在2026年已进行多轮提价，其中6月一次性涨价15%[80][82] - 据测算，全球AI CCL市场规模预计从2026年的54.4亿美元增长至2027年的114.9亿美元，其中AI服务器CCL占比最大，2027年预计达87.8亿美元[83][85] - 行业头部CCL厂商加速投放产能，同时高端材料国产替代趋势明确，例如生益科技已在M8等高端材料上实现量产突破[85][87] 存储周期：LTA锁价维持高毛利，国产厂商崛起扩产弹性大 AI存储需求与供需格局 - AI存储需求持续高增长，单GPU对应的DRAM和NAND存储容量不断提升，例如Rubin Ultra单GPU对应的HBM容量达1024GB，CPU DRAM容量达1536GB（或降配后786GB）[2][88][89] - DRAM新增产能释放节奏偏慢，资本开支增长主要集中于2027年及以后，短期难以匹配需求增长，预计供需缺口将持续到2027年[2][94][97] - Agent等应用增加对高IOPS企业级SSD的需求，单GPU对应的NAND存储容量不断提升，乐观情况下Rubin对应的企业级SSD需求达24TB[99][102] - 海外存储原厂资本开支向HBM和先进DRAM倾斜，对NAND投入较为审慎，同时制程升级带来损耗，加剧了NAND供需紧张态势[2][100] 存储价格与厂商盈利 - AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，预计DRAM合约价季增58-63%，NAND Flash合约价季增70-75%[101][103] - 存储价格已涨至高位，长期协议（LTA）锁价支撑存储原厂维持高毛利率，海外存储原厂2026年第二季度业绩指引环比持续上行，资本开支计划陆续上修[2][104] 国产存储厂商崛起与产业链机会 - 国内存储厂商如长鑫存储、长江存储技术迭代进阶，在自主技术与资金加持下产能加速扩张[2] - 国内存储厂商上市在即，扩产进程和产能释放有望加速，有力带动上游设备材料需求释放[2] - 设备端：3D NAND推动高深宽比刻蚀设备和薄膜沉积设备价值跃升；DRAM制程微缩拉动多重曝光及配套设备需求提升[2] - 材料端：化学机械抛光（CMP）材料需求随存储制程复杂度提升而增长；电子特气与前驱体需求受高深宽比刻蚀和沉积工序增加拉动[2]