碳化硅材料特性 - 碳化硅由碳和硅元素组成，具有高硬度、耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性及高折射率等优异物理化学性能 [2] - 宽禁带半导体（碳化硅/氮化镓）相比硅基半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等优势，是半导体行业未来重要方向 [2] - 碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率使其在电力电子器件中发挥关键作用，尤其在xEV及光伏领域表现突出 [2] 碳化硅应用领域 - 碳化硅衬底和外延片可应用于功率半导体器件、射频半导体器件，下游覆盖xEV、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机及半导体激光等行业 [3] - 碳化硅在功率半导体器件中渗透率从2019年1 1%提升至2023年5 8%，预计2030年达22 6% [4] 市场增长趋势 - 2019-2023年xEV领域碳化硅功率半导体器件全球收入复合年增长率达66 7%，2024-2030年预计仍保持36 1%高增长 [4] - 光伏储能、电网、轨道交通领域2024-2030年复合年增长率预计分别为27 2%、24 5%和25 3% [4]