1nm EUV材料,即将到来
半导体芯闻·2025-03-12 18:48
文章核心观点 随着imec和ASML重启下一代极紫外(EUV)领域合作,EUV机器所需材料面临挑战,英国初创公司Irresistible Materials开发新一代光刻胶,公司新任首席执行官Dinesh Bettadapur介绍了光刻胶研发情况、面临挑战、供应链及融资计划等内容 [1][2] 光刻胶研发情况 - 公司花十年开发新一代光刻胶,厚度可达7A,层厚仅为7个原子 [1] - 最初使用富勒烯,后转向使用可不同方式触发的有机材料,采用非富勒烯有机化合物、猝灭剂、交联剂和多触发分子,利用化学陷阱控制酸扩散形成分子链 [2] - 光刻胶是非常薄的类型,能达到18nm水平,光刻处理后仍留16nm蚀刻,顶部损耗量小,可满足7A支持要求,有极强可扩展性 [3] 面临挑战 - EUV有极具挑战性要求,优化光刻胶无简单答案,需平衡分辨率和线宽粗糙度等因素,为每个客户每个层提供不同配方 [2] - 启用多个工艺节点时,高NA光刻胶在吸收和聚焦深度方面挑战更复杂,需提出更好配方 [3] 供应链情况 - 光刻胶由四五种原料组成,供应灵活,每种原料可从美国或其他地方采购,必要时需在美国找合作伙伴,将整合原料发送完整配方,与能批量生产的制造合作伙伴合作,产量范围从每月100加仑到1000加仑或更多 [4] - Nano - C生产部分材料,将成为制造合作伙伴,公司正与美国、欧洲和亚洲供应商洽谈以扩大规模,测试会通过imec在欧洲进行 [4] 融资计划 - 公司得到美国材料供应商Nano - C和Mercia Asset Management支持,虽现有资金,但随着加快路线图,将继续寻找其他资金来源,对客户资金、风险投资和其他战略投资者持开放态度 [4][5]