欧洲FD-SOI技术发展 - 欧洲领先的FD-SOI技术试验线公开征集10nm和7nm设计项目，旨在提升欧洲半导体公司竞争力[1] - FD-SOI技术具有超低功耗能力，适用于数字、模拟和射频设计[1] - 未来两年内将从22nm工艺转向300mm晶圆上的10nm工艺，随后转向7nm工艺[1] FAMES试验线项目 - FAMES试验线拥有90台设备，其中30台已到位，核心设备为193米浸没式光刻工具[3] - 试验线分布在四个基地：法国Leti、爱尔兰Tyndall、奥地利Silicon Austria Labs和芬兰VTT[3] - 试验线将提供免费探索PDK、模拟和培训PDK，特别对学术界有吸引力[3] 技术进展与规划 - 10nm FD-SOI工艺测试芯片预计2027年问世[3][6] - 重点关注嵌入式非挥发性存储器技术开发，包括OXRAM、FRAM和铁电FET[5][6] - 将开发MRAM用于安全应用和超低功耗AI的内存计算[6] 应用领域 - 主要应用包括微控制器(MCU)、多处理器单元(MPU)、AI/机器学习设备、5G/6G芯片、汽车芯片等[1] - 网络安全和概率AI是两个主要目标应用领域[6] - 数字模拟将是第一个可用领域，其次是射频和模拟[6] 行业参与 - 参与者来自18个国家，主要来自欧洲，包括初创公司和跨国公司[2] - 诺基亚是重要工业合作伙伴，其SoC开发依赖试验线进展[8] - Stellantis认为该举措将加速从研究到工业应用的转变[9] 战略意义 - 该项目旨在支持欧盟半导体价值链所有环节[7] - 被视为对可持续、有弹性和创新的欧洲的愿景[7] - 将汇集行业、中小企业、初创企业和研究机构，建立开放式生态系统[7]