SK海力士HBM技术发展方向 - 下一代HBM开发聚焦三大核心任务：带宽提升、功耗优化、容量扩展 [1] - HBM4的I/O数量较HBM3E翻倍至2048个，部分客户需求高达4000个I/O [1] - 需通过技术改进（如将假凸点替换为可用凸点）平衡I/O数量增加带来的挑战 [1] 技术合作与工艺创新 - 从HBM4开始，逻辑芯片生产将转向代工厂，与主要代工伙伴展开紧密设计合作 [1][2] - 封装技术提出混合键合方案，可减少芯片厚度并提升功率效率，但商业化仍面临量产和可靠性难题 [2] - 现有MR-MUF技术持续优化，以支持DRAM堆叠层数从12层向16-20层扩展 [2] 容量提升技术挑战 - 堆叠层数增加需将DRAM间距缩小50%（如12层→16层），受限于775微米的总高度规格 [2] - 混合键合技术可突破间距限制，但需解决芯片间直接连接的工艺复杂度 [2] 行业竞争关键因素 - 存储器公司降低制造成本将成为下一代HBM市场竞争的核心任务 [2] - 带宽、功耗、容量三要素的技术突破存在相互制约的复杂性 [2]