如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自semiwiki，谢谢。 要点总结： 随着间距的不断缩小，电子模糊、随机性和现在的偏振，都在 EUV 光刻中产生越来越强的影响。 随着 EUV 光刻技术的不断发展，目标是越来越小的间距，新的物理限制不断涌现，成为强大的障 碍。长期以来，随机效应已被认为是关键挑战，而电子模糊最近也得到了深入研究 [3]，现在偏振效 应正日益成为图像质量下降的一个令人担忧的问题。随着行业向 2nm 节点迈进，这些影响形成了一 场完美风暴，威胁着 EUV 印刷特征的质量。模糊和偏振导致的对比度损失使得随机波动更有可能跨 越印刷阈值。 图 1 显示了在 0.55 NA EUV 光刻系统上，18 nm 间距的偏振、模糊和随机性的综合影响。偶极子 引起的衰减 [6] 被忽略，因为它是一个相对较小的影响。如果假设非偏振光 [5]，则对比度损失为 14%，但电子模糊对加剧图像中的随机电子行为的影响更为显著（约 50% 的对比度损失）。总对比 度损失是通过将偏振引起的对比度降低与电子模糊引起的对比度降低相乘得到的。 边缘"粗糙度"非常严重，足以被视为缺陷。随机波动跨越印刷阈值的概率不可忽 ...