公司动态 - Sandisk Corp 正在开发一种名为3D矩阵内存的非易失性相变内存技术 由前英特尔Optane内存业务高管Alper Ilkbahar领导 [1] - 公司于2025年2月从西部数据分拆 计划在提供闪存产品的同时开发新兴内存技术 [1] - 技术研发始于2017年 2024年启动名为"Project Neo"的产品化阶段 与比利时IMEC合作 [2] - 公司获得了美国空军研究实验室3500万美元资助 用于ANGSTRM项目开发抗辐射存储器 项目周期54个月 预计2028年11月完成 [10] 技术细节 - 3D矩阵内存与英特尔3D XPoint技术有相似之处 可能基于硫族化物相变技术 [2][6] - 技术目标是提供类似DRAM的性能 容量提高4倍 位成本降低一半 [8] - 开发平台包括4Gbit和8Gbit内存 计划推出32Gbit和64Gbit样品 [8] - 抗辐射存储器要求单片容量4Gbit至16Gbit 读/写次数10^9至10^12 数据保存时间10-15年 [10] 行业背景 - 3D XPoint技术由英特尔和美光联合开发 2015年发布 但傲腾业务在2022年停止 累计亏损可能超过10亿美元 [8] - 英特尔2020年以90亿美元出售非易失性存储器业务 但傲腾业务被排除在外 [8] - 意法半导体已将PCM技术应用于汽车微控制器等嵌入式领域 计划采用18nm FDSOI制造工艺 [13] 未解决问题 - 3D矩阵内存的具体材料配置和运行原理尚未披露 [2][12] - 需要明确该技术是否获得英特尔、美光等公司的许可 [12] - 需要验证Sandisk是否解决了英特尔在3D XPoint上遇到的技术/市场问题 [16] - 需要了解故障模式、操作敏感性和可靠性等关键参数 [16]