公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变 得非常重要。 HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存 在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入 ...