核心观点 - 台积电CoWoS封装技术因AI浪潮崛起，成为英伟达在高端封装领域的唯一选择[1] - 台积电正在从CoWoS-S向CoWoS-L技术转型，以支持Blackwell架构GPU的10TB/s互连需求[3] - 行业面临中介层尺寸增大带来的基板/散热挑战，AI芯片尺寸达80x84mm导致单晶圆仅容纳4颗芯片[6] - 台积电布局CoPoS技术作为CoWoS-L替代方案，采用310x310mm矩形面板提升40%面积利用率[11][14] 技术演进 CoWoS产能扩张 - 台积电过去两年大幅扩张CoWoS产能，超越日月光成为全球最大封测厂商[1] - 2023年中介层尺寸达80x80mm（3.3倍光罩），2026年将推出5.5倍光罩版本[9] - 计划2027年推出9.5倍光罩版本，集成12+HBM堆栈[9] 材料工艺突破 - 传统助焊剂技术面临清洁难题，台积电正在测试无助焊剂键合技术[6][7] - CoPoS采用玻璃中介层替代硅，具有更低损耗（TGV技术）和更优热稳定性[13] - SoW-X技术性能较CoWoS提升40倍，模拟完整服务器机架功能[9] 技术路线对比 CoWoS-L特性 - 采用LSI桥接器+有机中介层，支持Blackwell架构双芯片10TB/s互连[3][5] - 主要服务英伟达及超微等AI/HPC客户[13] CoPoS创新 - 矩形面板设计（310x310mm）较圆形晶圆提升40%面积利用率[11][14] - RDL线宽要求从10µm向1µm演进，需解决翘曲/均匀度等良率挑战[16][17] - 定位为CoWoS-L替代品，首批客户可能为英伟达[9][13] FOPLP差异 - 无中介层设计适合中端ASIC，成本更低但信号完整性弱于CoPoS[12] - CoPoS保留中介层，更适合高端AI/HPC的多芯片集成[12][13] 产能布局 - 嘉义AP7工厂第四阶段启动CoPoS量产，P1阶段专供苹果WMCM[12] - 现有CoWoS产能保留在AP8工厂（群创光电旧厂改造）[12]