行业格局变化 - HBM成为存储领域竞争焦点，原厂产能逐渐向HBM倾斜，导致DDR4减产、涨价，部分同等容量DDR4和DDR5价格几近倒挂 [1] - 三星电子2025年Q2营业利润4.6万亿韩元（约33亿美元），同比下降55.94%，为六个季度以来最低水平，主因HBM业务进展慢于竞争对手 [4] - SK海力士HBM市场份额达70%，DRAM领域份额36%，Q2内存收入155亿美元，与三星并列全球第一 [4] 厂商技术竞赛 - SK海力士和美光HBM3e 12hi产品认证已完成，良率超60%，将供应英伟达B300、GB300，三星改版HBM3e预计Q3完成认证 [5] - SK海力士计划2025年下半年完成HBM4量产准备，美光计划2026年量产，三星1c nm DDR5未商业化量产，HBM4量产存不确定性 [6] - 国内厂商长鑫存储处于HBM早期技术开发阶段，项目进展未公开 [6] 市场需求与定制化趋势 - 英伟达2024年消耗61% HBM，但2026-2027年比例可能下降，因ASIC供应商增多（如谷歌TPU Ironwood配备192GB HBM） [9] - 已有7-8家IT厂商推动HBM定制，包括英伟达、亚马逊、微软等，预计2026年HBM4亮相时定制市场将大幅扩张 [10] - 三星布局定制化HBM支持客户IP集成，美光预计HBM4e定制业务将改善业绩，美满电子预测2028年25%加速计算芯片市场属定制 [10] 技术演进挑战 - HBM需在前端制程打TSV（硅通孔），后端工艺从HBM4到HBM5堆叠层数朝20层发展，工艺过渡至HCB（混合键合） [8] - HBM4计划2026年面世，HBM4e预计2027年，HBM5或2030年前后面临，技术路线挑战多于传统DRAM [8]