科研人员研发"闪速退火"工艺 一秒"炼"就晶圆级高性能储能薄膜 近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队携手合作者，开发出一种热处理升降温速率可达每秒1000摄氏度的"闪速退 火"工艺，成功制备出晶圆级高性能储能薄膜。相关成果于11月15日凌晨发表在《科学进展》期刊上，为下一代高性能储能电容器件的制造开辟了一条新 路径。 科研人员介绍，在脉冲激光器、新能源汽车等应用的功率电子器件中，有一类名为"电介质储能电容器"的元件至关重要，它们以极高的功率快速充放电， 并且极其耐用。然而，科学家们一直面临一个难题：如何让这些电容器在保持强大储能能力的同时，还能经受住从极寒到酷热的极端温度考验，并且易于 大规模生产。 此次研究中，利用"闪速退火"工艺，研究人员可仅用1秒钟，就能在硅晶圆上制备出一种名为锆酸铅的弛豫反铁电薄膜。据介绍，这项工艺技术可以将材 料在高温下的特殊结构"冻结"在室温，形成了尺寸不到3纳米的纳米微畴。这些微小的结构如同一个精密的迷宫，是诱导弛豫反铁电行为，实现高效率储 能的关键。同时，"闪速退火"还让薄膜的"肌理"更加致密均匀，并有效锁住了容易挥发的铅元素，从根源上减少了材料缺 ...