文章核心观点 - 近期芯片产业链出现广泛且持续的涨价趋势，从上游PCB材料、晶圆代工，到存储芯片、被动元件、功率器件等多个环节均有厂商发布涨价函或现货市场价格上涨，主要驱动力包括AI需求爆发、原材料成本上升、产能受限及主动减产等因素 [3] 上游PCB：原料涨价带动上涨 - AI服务器、高速通信、汽车电子等需求推动高端覆铜板（CCL）等材料需求快速增长，同时上游超薄铜箔与高端玻纤布产能有限，形成阶段性紧缺 [7][8] - 覆铜板龙头建滔积层板因原材料成本压力，自12月1日起对全系列覆铜板产品价格上调5%至10%，其中FR-4系列和PP（半固化片）系列上调10% [8] - 南亚塑胶因国际LME铜价、铜箔加工费、电子级玻璃布等原料集体上涨，自11月20日起对全系列CCL产品及PP统一上调8% [9] 晶圆厂：情况分化 - 2025年下半年晶圆代工产能利用率优于预期，部分晶圆厂因库存水位偏低、智能手机销售旺季及AI需求强劲，酝酿对BCD、Power等紧缺制程平台涨价 [11] - 台积电已通知客户，针对5nm、4nm、3nm、2nm先进制程，自2026年起将连续四年调涨价格，采用复利计算，涨幅可能达双位数，其中2nm价格涨幅预计达50%左右，单片晶圆价格将高达30000美元 [11][12] - 中芯国际担忧存储芯片价格上涨挤压终端利润，可能导致终端厂商要求其他非存储芯片降价，从而引发成熟制程的代工价格战 [13] 存储：原厂涨、模组涨，国内国外都涨 - AI需求引爆存储紧缺，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍，挤压了DRAM与NAND的供应，叠加原厂减产，导致库存去化加速，缺口扩大，涨价从HBM蔓延至整个存储器市场 [15] - 三星电子第四季调升DRAM与NAND Flash价格，其中LPDDR4X、LPDDR5/5X合约价涨幅达15%至30%，NAND产品上调5%至10%；11月将服务器芯片价格上调30%至60%，例如32GB DDR5内存芯片模组合同价格从9月的149美元跃升至11月的239美元 [17] - SK海力士跟进三星暂停10月DDR5 DRAM合约报价，其与英伟达达成的HBM4供应价格比HBM3E高出50%以上，单价确认约为560美元 [18] - 美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%，并自9月12日起所有DDR4、DDR5等产品暂停报价一周，汽车电子产品预计涨70% [19] - 闪迪在11月将其NAND闪存合约价格大幅上调50% [21] - 国内存储厂商普冉股份表示第四季度部分NOR Flash产品价格已较三季度上涨，兆易创新预期利基型DRAM价格在第四季度进一步上行 [22][23] - 中国台湾存储模组厂威刚、十铨、创见等出现八年来首次暂停报价，以应对DRAM货源严重不足和库存去化太快的状况 [29][30][31] 被动元件原厂：电感、MLCC、钽电容都要涨 - 被动元件厂商涨价主要基于两类原因：一是金属银以及锡、铜、铋、钴等原材料涨价带来的成本压力；二是AI需求暴增叠加原材料涨价 [33][34] - 国巨/基美因聚合物钽电容器需求大增及成本压力，今年第二次涨价，10月通知自11月1日起针对部分系列产品调涨，供应链透露涨幅高达二至三成 [35] - 风华高科因金属银价格年初至今已上涨50%左右，对部分产品价格调涨：电感磁珠类产品调升5-25%，压敏电阻类、瓷介电容类对银电极全系列调升10-20%，厚膜电路类调升15-30% [37] - 松下向经销商发出通知，部分钽电容型号调涨15-30%，涵盖30-40种钽聚合物电容型号，将于2026年2月1日生效 [38] - 京瓷AVX普通钽电容在今年6月及9月均宣布涨价，原因皆是原材料钽成本增加，其聚合物钽电容交期目前延长至16-20周 [39] - 台庆科因银价大幅上涨，11月开始对代理商调涨积层芯片磁珠及电感价格达15%以上，并开始减产 [40][41] 功率器件：安世涨、国内外替代都涨 - 安世事件发生后，其芯片在现货市场成交价一度暴涨，听说有10倍涨幅的真实成交，目前行情整体处于观望后需求慢慢恢复的过程，成交价格下降但部分料号仍维持高价 [44] - 华润微电子确认对部分IGBT产品实施了价格上调，认为功率器件市场已进入企稳向好的新阶段，涨价动力来自应对原材料成本上涨及订单表现良好 [45] - 有分销商表示，安世工厂停产后，MOSFET与二极管现货库存吃紧，车规级料号交期已延长至12周以上，部分型号开始有涨价动作 [47] 其他：多个品牌有涨价消息 - TE Connectivity通知将在所有区域实施价格调整，自2026年1月5日起生效，适用于所有授权分销商，主因通胀环境及金属成本上涨 [48] - 市场消息表示，全球模拟芯片大厂ADI计划在2026年2月1日调整价格 [49]