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三星强调,正在研发4F² DRAM
半导体芯闻· 2026-10-14 18:20
文章核心观点 - 三星电子CTO兼总裁宋载赫在SEDEX 2026上确认公司正在开发4F²技术,但拒绝透露具体研发进展,仅表示正在努力,并决心不失去在该领域的领先地位 [1] - CXMT出人意料地宣布计划推出采用4F²技术的服务器DRAM,引发业内对中国在存储技术领域迎头赶上的担忧,并导致三星电子和SK海力士股价在前一日暴跌 [1] - 三星电子计划将4F²技术应用于下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点D0a,项目内部代号为D0a-V,业界预计将更加关注三星向下一代工艺过渡的举措 [2] 4F²技术概况 - 4F²是一种新一代单元结构技术,大幅缩小了单元面积,从而在相同芯片面积内容纳更多数据 [1] - 三星电子已对4F²技术进行了大约五年的研究,内部正在将其推进为垂直通道晶体管DRAM形式,这种形式将单元结构垂直排列 [1] 三星电子动态 - 三星电子在SEDEX 2026上以人工智能系统设计为主题,搭建了包括云端人工智能、边缘人工智能、物理人工智能和半导体集群在内的六大展区,展示前沿解决方案 [2] - 新改革党代表李俊锡参观了展会,并与三星社长宋永昌和SK海力士开发社长安铉一同参观了各大公司的展位 [2] 行业竞争格局 - 4F²技术已成为全球存储器市场的热点话题,CXMT宣布计划推出采用该技术的服务器DRAM,加剧了行业竞争态势 [1] - 随着CXMT公司宣布这一意向,业界预计将更加关注三星向下一代工艺过渡的举措 [2]