公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 互补型场效应晶体管 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架构有望在逻辑技术路线图中取 代环栅 (GAA) 纳米片晶体管。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 晶体管堆叠在一起，首次消 除了标准单元高度中 n-p 间距的限制。因此，如果能与先进的晶体管接触和供电技术相结合， CFET 器件架构有望大幅缩小逻辑标准单元尺寸。 在所有可能的集成流程中，单片CFET (mCFET：monolithic CFET) 被认为是干扰最小的，它能以最 快的速度将CFET引入到符合行业实际尺寸的器件中。采用单片集成，具有共用顶部和底部栅极的垂 直器件结构可以在一系列工艺步骤中完成图案化和加工。 垂直堆叠层带来了一些挑战，需要CFET专用模块来实现堆叠横截面关键部分的垂直隔离。例如，中 间介质隔离 (MDI) 模块可以提供顶部和底部栅极之间的隔离。这使得可以为顶部和底部器件设置不 同的阈值电压。 近年来，在展示300mm mCFET集成流程的关键构建模块方面取得了显著进展。在2024年VLSI大会 上，imec的研究人员报告了一种带有MDI模块的mCF ...