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三星2nm工艺(SF2)
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英特尔18A良率已超越三星!
国芯网· 2025-07-15 21:57
半导体制造工艺进展 - Intel 18A工艺良率从上一季度的50%提升至55%,超越三星2nm工艺(SF2)的40%良率 [1] - 尽管仍低于台积电测2工艺的65%良率,但已具备2025年量产条件,预计良率将进一步提升至70% [1] - 良率提升为Intel下一代移动CPU生产提供有力支持,Panther Lake系列将受益 [1][2] 公司战略规划 - Intel计划在18A工艺成功后逐步向14A工艺过渡,以增强高端芯片市场竞争力 [3] - 18A工艺不仅支持内部产品开发,还为未来向外部客户提供服务奠定基础 [2] 行业竞争格局 - Intel在先进制程良率上超越三星,但与台积电仍存在差距 [1] - 良率提升使Intel在2nm级工艺竞争中占据更有利位置 [1][2]