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存储暴跌的导火索之一!韩媒“小作文”:英伟达Rubin预期减产
华尔街见闻· 2026-06-24 08:14
韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应,将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。 据韩国媒体23日报道,SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片(HBM4)的量产扩张节奏,并将资 源重新倾斜至通用型DRAM市场。 这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与CNBC均援引消息称,"交易员将矛头指向一篇 韩国媒体报道——SK海力士正在放缓AI存储芯片扩产,并将重心转回通用型DRAM"。 由于存储股约占韩国综合指数(KOSPI)权重的60%,韩国股市随即暴跌逾10%,并触发熔断机制,恐 慌情绪随后向全球市场蔓延。 报道援引一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示,鉴于英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下 调,该公司管理层已无必要加速推进向HBM4的产线转换。此番表态令市场对高端AI基础设施的需求前 景产生质疑,并对英伟达等相关产业链构成压力。 韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。 截至今年一季度,通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点,通用DRAM反 而占据优势。大信证券预计,通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%。 在此背景下,SK海力士据报正延迟将 ...
存储暴跌的导火索之一!韩媒“小作文”:英伟达Rubin预期减产,SK海力士HBM4扩产放缓
华尔街见闻· 2026-06-24 08:04
文章核心观点 - SK海力士放缓第六代高带宽存储芯片(HBM4)的量产扩张,并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场,此举引发了全球存储股和市场的剧烈波动 [1][2] - 战略调整的核心驱动力是通用型DRAM的营业利润率已反超HBM,且公司需应对英伟达下一代芯片生产预测下调带来的高端AI存储需求不确定性 [2][5][12] SK海力士战略调整 - SK海力士正在放缓HBM4的量产扩张节奏,并延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划 [1][6] - 公司将资源重新倾斜至通用型DRAM市场,以增强供应响应能力 [1][6] - 公司已与微软签署为期三年的DDR5供应合同,以锁定通用DRAM领域的长期收益能见度 [7] 市场反应与影响 - 相关报道触发韩国股市暴跌逾10%,并触发熔断机制,恐慌情绪向全球市场蔓延 [2] - 周二美股市场中,美光收跌13%,西部数据收跌8.5% [3] - 市场对高端AI基础设施(尤其是英伟达下一代芯片)的需求前景产生质疑 [2][12] 战略调整的财务与市场逻辑 - 截至今年一季度,通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点,通用DRAM反而占据优势 [5] - 大信证券预计,通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90% [5] - SK海力士一季度财报披露,DRAM平均售价已升至60%中段水平 [7] - 摩根士丹利基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测,将SK海力士盈利预测上调56%至63% [9] HBM市场竞争格局 - 高盛认为,SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够 [9] - 根据Counterpoint Research数据,SK海力士去年四季度HBM市场份额为57% [10] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产,SK海力士的HBM市场份额或逐步收窄至50%至60%区间 [10] 高端AI供应链压力 - 英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调,直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期 [2][12] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本,令超大规模数据中心运营商的利润空间承压 [12] - 英伟达Vera Rubin系统(VR200)的材料总成本(BOM)预计为7,803,148美元,较前代GB300系统的3,994,551美元上涨95%,其中内存成本从373,939美元激增至2,001,600美元,涨幅达435% [14]
存储暴跌!韩媒:英伟达Rubin预期减产,SK海力士HBM4扩产放缓
华尔街见闻· 2026-06-24 03:37
文章核心观点 - 一篇关于SK海力士放缓HBM4扩产并转向通用DRAM的韩国行业报道,引发了全球存储股及股市的连锁下跌,并引发市场对高端AI基础设施需求前景的担忧[1] SK海力士的战略调整 - SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片(HBM4)的量产扩张节奏,并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场[1] - 公司延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划,转而加大对通用DRAM市场的供应响应能力[2] - 公司在一季度财报中披露,DRAM平均售价已升至60%中段水平,并与微软签署了一份为期三年的DDR5供应合同[2] 战略调整背后的市场与盈利动因 - 截至今年一季度,通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点,通用DRAM反而占据优势[2] - 大信证券预计,通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%[2] - 公司管理层需正视竞争对手三星电子已通过通用DRAM获取丰厚利润的现实[2] 市场影响与连锁反应 - 该消息触发韩国存储股大幅回调,由于存储股约占韩国综合指数(KOSPI)权重的60%,韩国股市随即暴跌逾10%,并触发熔断机制,恐慌情绪向全球市场蔓延[1] - 周二美股盘中,美光下跌13%,西部数据下跌8.4%[1] - 市场对高端AI基础设施的需求前景产生质疑,并对英伟达等相关产业链构成压力[1] 华尔街观点与行业展望 - 高盛认为,SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够[3] - 摩根士丹利将整体存储价格周期视为SK海力士估值的核心驱动因素,并基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测,将盈利预测上调56%至63%[3] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产,SK海力士的HBM市场份额或从去年四季度的57%逐步收窄至50%至60%区间[3] 对高端AI供应链的潜在影响 - SK海力士知情人士提及,英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调,这直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期[4][5] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本,令超大规模数据中心运营商的利润空间承压[5] - 此次动向折射出投资者对高端AI基础设施建设节奏的深层担忧[4]