650V GaN power devices
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onsemi to Develop Next-Generation GaN Power Devices with GlobalFoundries
Globenewswire· 2025-12-18 21:50
核心观点 - onsemi与GlobalFoundries达成合作,共同开发并制造基于200mm eMode硅基氮化镓工艺的下一代650V氮化镓功率器件,旨在扩大其在智能功率半导体领域的领导地位,以满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业及航空航天与国防等关键市场日益增长的电力需求 [1][3] 合作与产品开发 - 合作结合了GlobalFoundries先进的200mm eMode硅基氮化镓工艺与onsemi行业领先的硅驱动器、控制器及热增强封装技术,旨在提供更小、更高效的功率系统 [1][3] - 合作将加速onsemi高性能氮化镓器件及集成电源模块的路线图,扩展其高压产品组合 [3] - 首批650V功率器件样品计划于2026年上半年开始向客户提供,并将迅速扩大至量产规模 [4] 技术与产品优势 - 新开发的氮化镓器件将提供更高的功率密度和效率 [6] - 氮化镓技术优势包括:更高频率运行以减少元件数量、系统尺寸和成本并提升效率与热性能;双向能力可替代多达四个传统单向晶体管以降低成本并简化设计;将氮化镓场效应晶体管与驱动器、控制器、隔离和保护功能集成于单一封装,可加快设计周期并降低电磁干扰 [8][9] - 此次合作使onsemi的功率半导体产品组合涵盖了从低、中、高压横向氮化镓到超高压垂直氮化镓的全系列技术 [7] 目标应用市场 - 产品针对电力需求持续增长但物理尺寸受限的高密度系统,包括人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源以及航空航天与国防安全系统 [7] - 具体应用包括:人工智能数据中心的电源和DC-DC转换器、电动汽车的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能微型逆变器和储能系统,以及工业、航空航天与国防领域的电机驱动器和DC-DC转换器 [6][7]