"最近内存涨价实在太多。"10月24日，雷军在微博上带货某款手机时表示。 那么，这一轮存储价格暴涨的逻辑链条是什么，或者说AI的需求如何传导至存储，让内存变成了"电子黄金"？ 01 恐慌、囤货与价格倒挂 内存作为标准化产品，其行业发展直接受下游需求影响，呈现鲜明的周期性特征。 以三星电子为例，日前，其宣布内存芯片价格调涨60%，涨价直接冲击到了下游的消费电子厂商，带动包括手机，也包含笔记本、PC、 平板等一系列设备的涨价。 内存涨价的直接原因是AI巨头们对HBM存储的需求，挤占DRAM颗粒产能。与此同时，推理需求的暴涨，也挤占了NAND闪存颗粒产 能。 内存价格暴涨后，它们被赛博玩家们戏称为"电子茅台"、"电子黄金"。 涨价牵动着整个产业链的神经，中芯国际第三季度业绩会上，38次提及存储，联席CEO赵海军做了几个关键判断——目前供应缺口在5% 以上，终端厂商短期有压力、扩产仍然在继续、对制造业是利好。 "无论是汽车、手机还是消费电子领域，使用存储器的终端厂商来年都将面临价格压力和供应保障问题，目前没有任何一方能给出明确的 供应承诺。"赵海军说。 赵海军强调，供应缺口至少在5%以上，高价位将持续一段时间。"我曾 ...

DRAM市场动态 - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格由US$11.071上涨至US$11.857，涨幅达7.10% [1] - DDR4与DDR5价格在惜售心态下持续上扬，但卖方供给量有限导致成交量处于低水位 [1] - 颗粒报价（以Gb为单位）已超越相同容量模组报价，且价差巨大，预期模组价格将快速走扬以收敛价差 [1] NAND Flash市场动态 - 受合约市场强势拉动，现货市场氛围升温，价格上涨幅度及报价频率显著增加 [1] - 中小型买家难以通过原厂取得货源，转向现货市场采购需求明显增温，但现货供应稀缺 [1] - 持货商看好后市，延后出货及惜售情绪浓厚，导致成交量有限但价格持续上扬 [1] 具体产品价格表现 - 512Gb TLC Wafer现货价格本周上涨17.07%，单价达到US$6.455 [2] - 预期短期内现货市场维持紧俏格局，价格上行动能可望延续至下季 [2]

存储产品价格走势 - 京东固态硬盘金榜前五名产品目前售价均高于11月初水平[4] - 天猫内存热卖榜前十名中多数产品自10月以来经历涨价 目前价格处于高位 例如影驰DDR5 24G×2内存条10月初至今上涨约400元至1899元[1] - 京东电脑内存金榜前十名产品价格全部高于10月初 其中9款涨价幅度超过40% 3款超过70% 宏碁DDR5 48G内存条现价1999元比10月初贵约600元[4] 具体产品价格变化 - 威刚DDR5 16G内存条目前售价759元 10月下旬以来多在499元至799元区间波动[1] - 疆珑DDR5 16GB×2内存条目前售价1309元 较10月前730元左右价格上涨超过500元[1] - 三星DDR5 16G笔记本内存目前售价849元 10月上旬价格在500元以下 金百达DDR4 32G台式机内存条现价809元 10月初售价低于550元[4] 固态硬盘价格动态 - 西部数据1TB SSD现价559元 比11月初上涨60元 致态1TB SSD现价559元比11月初涨10元[4] - 三星1T SSD现价659元比11月初涨30元 宏碁1TB SSD现价579元比11月初贵30元[4] 存储颗粒市场行情 - 国际DRAM颗粒现货价格整体上涨 DDR5 16G 4800/5600价格单日涨幅达4.24% 均价突破23美元 DDR4 16G 3200涨幅4.06%[5] - NAND闪存产品中SLC 2Gb 256MB×8价格单日涨2.47% MLC 32Gb 4G×8价格单日涨1.85%[5] - 内存条价格自9月开始明显上涨 涨价趋势持续 市场价格每日波动[5] 价格上涨驱动因素 - 服务器存储需求爆发是此轮涨价核心驱动力 原厂产能结构性转移至服务器市场[5] - AI计算消耗大量存储产能导致市场供不应求[5] - 未来一段时间内现货DRAM与NAND供应趋紧 价格上涨将成为常态[5] 存储相关公司表现 - 存储器厂商江波龙表示存储晶圆价格上行对公司毛利率将产生正面影响 公司股价今日涨6.21%创历史新高[6] - 部分存储个股股价涨至历史高位后回调 兆易创新今日跌0.9% 香农芯创跌9.83% 德明利跌2.94%[6]

行业核心观点 - 存储行业正处于超级周期初期 供需失衡状态预计将持续至2026年底 [1][2][5] - AI服务器爆发式增长是核心驱动力 其存储容量是普通服务器的5-10倍 对HBM 企业级DRAM和SSD需求激增 [4][5] - 上游原厂将超过60%的DRAM产能优先供给HBM和服务器级产品 导致消费级产能被挤压 产生"产能虹吸效应" [5] 供需状况分析 - 2026年DRAM和NAND市场预计将出现需求大于供给的失衡状态 [2] - 美光HBM产品2026年的供给已全部售罄 [2] - 模组厂库存水平已降至2个月 终端客户库存也不到2个月 远低于4个月的安全水平 [4] - 大型云服务提供商主动寻求与供应商签订2-3年长期协议以换取产能保障 [6] 价格变动趋势 - 2025年第四季度存储产品出现全品类价格大幅上涨 呈现高容量产品领涨特点 [5] - DRAM产品中 96GB服务器RDIMM价格环比涨幅达70% LPDDR5目标涨幅为40% [5] - NAND产品中 3D NAND晶圆价格环比涨幅高达65%-70% [5] - 库存见底导致市场对价格敏感度极高 轻微供应缺口即可引发价格快速上涨 [4] 上游原厂动态 - 三星HBM3E已批量出货 HBM4样品达标 但资本开支策略转向谨慎 聚焦现有产能优化 [2] - 美光纽约超级工厂投产延迟2-3年 预计至2030年末才能投产 短期DRAM供给扩张能力有限 [2] - 上游供应商与模组厂商已开始限制供应以应对持续的涨价周期 [6] 技术演进与需求变化 - AI推理时代数据从冷数据转为热数据 存储需求从HDD转向SSD [5] - SSD在服务器中的占比预计将从55%增加到70% [5] - 国内存储产业链以模组厂为主 商业模式为采购-加工-销售 通过主动库存管理和建单采购提升毛利率 [3]

海力士DRAM颗粒价格上调 - 海力士DRAM（消费级）颗粒价格已上调约10%+ [1] - 用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb产品的固定交易价格较3月上涨22.22% [2] 稀土光功能材料联合实验室成立 - 国创稀品与内蒙古科技大学共建"稀土光功能材料联合实验室"正式揭牌成立 [1] - 双方将在研发新一代稀土光功能材料、建立产业基地、推动科研成果落地转化等方面加强合作 [1] - 目标是缩短产业化周期、推进行业标准制定、联合申报省部级及以上科技专项 [1] - 将搭建"产学研资用"对接平台加速技术市场化 [1] 英伟达中国AI芯片计划 - 英伟达正加紧开发符合美国出口规定的AI芯片以保住中国市场份额 [1] - 已向中国三家企业通报正在调整AI芯片设计 [1] - 新款芯片样品预计最快6月交付测试 [2] - 同步研发最新一代AI芯片Blackwell的"中国专属版本" [2] - 美国政府无限期禁止向中国出口H20芯片导致公司预估55亿美元潜在损失 [2]

DRAM价格变动 - 海力士DRAM（消费级）颗粒价格已上涨约10%+ [1] - 用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb产品的固定交易价格较3月上涨22.22% [1]