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Reaction Sintered Silicon Carbide Ceramic Disc
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TRUNNANO Breaks Through Key Technology for Reaction Sintered Silicon Carbide Ceramics
Globenewswire· 2025-11-03 22:00
核心观点 - TRUNNANO公司在反应烧结碳化硅材料研发上取得重大技术突破,克服了长期存在的技术挑战,为高温、高强度、耐磨等极端工况提供了更稳定且成本效益更高的陶瓷解决方案 [1] 技术突破与工艺优化 - 通过优化原材料配比和骨架结构设计、控制高温反应烧结过程中的硅渗透与反应、控制游离硅含量并平衡性能,成功克服了关键工艺挑战 [2] - 采用先进的粉末加工和混合技术,实现原料的纳米级均匀分散,构建了具有明确孔隙分布和高强度的碳/碳化硅复合骨架 [6] - 利用专有高温烧结系统,在真空或惰性气氛下将温度精确控制在1650°C–2000°C范围内,确保熔融硅均匀渗透并与碳发生彻底的原位反应,实现材料近乎完全的致密化 [6] - 通过优化碳硅比和渗硅工艺,将游离硅含量稳定控制在8%–15%的最佳范围内并确保其均匀分布,在保证高密度、高硬度和优异导热性的同时,最小化其对高温性能和化学稳定性的负面影响 [6] 产品性能指标 - 硅 carbide含量达到98.5-99% [3] - 最高工作温度为1380℃ [3] - 密度≥3.02 g/cm³ [3] - 孔隙率≤0.1% [3] - 抗弯强度在20℃时为250 Mpa,在1200℃时为280 Mpa [3] - 弹性模量为330 Gpa [3] - 热导率在20℃时为120 W/m*k,在1200℃时为45 W/m*k [3][5] - 热膨胀系数为4.5 K⁻¹x10⁻⁶ [5] - 莫氏硬度为13 [5] 战略意义与行业影响 - 反应烧结碳化硅不仅具有优异的综合性能,在近净成型和尺寸控制方面也展现出独特优势,是公司在高性能陶瓷领域持续发展的重点 [2] - 此项技术突破标志着公司高性能结构陶瓷的可靠性和一致性达到新水平 [7] - 公司将继续推进反应烧结碳化硅在更广泛工业场景中的应用,帮助客户升级设备并提高效率 [7]