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未知机构:广发海外电子通信存储行业强劲AI需求将扭转周期-20250318
未知机构·2025-03-18 11:20

纪要涉及的行业和公司 - 行业:存储行业 - 公司:美光、SK海力士、三星、兆易创新、华邦电子、南亚科技 纪要提到的核心观点和论据 - DRAM周期好于预期:自4Q23到3Q24强劲反弹后因库存升高周期呈下降趋势 但2月初库存已大幅降至正常水平;受中国强劲需求和关税担忧导致的紧急订单推动 各渠道和品牌的智能手机及PC的DRAM库存已恢复至约7.5周;预计DRAM合约价格在2Q25仍将温和下跌 但DRAM blended ASP在3Q/4Q25将上涨2%/7% 得益于智能手机、AI PC的DRAM content持续增长、AI数据中心需求强劲、以及中国CSP带来的增量需求;预计本土厂商生产主要集中在DDR4和LPDDR4上 对DDR5市场影响有限[1][2] - NAND将在2H25反弹:为应对3Q24价格大幅下跌和盈利下滑 主要NAND供应商宣布减产;预计产量控制将改善供需 价格跌幅将从1Q25的15%环比下降至2Q25的 -3%;随着智能手机领域库存下降和人工智能需求增加 预计企业级SSD将在3Q/4Q25价格上涨13 - 18%/10 - 15% eMMC和client SSD将环比上涨5 - 10%[2][3] - 25年HBM需求强劲、供应紧张:在台积电积极扩大CoWoS产能和强劲人工智能需求推动下 预测HBM需求量将达到180亿Gb 市场规模将在2025年增长至290亿美元;尽管三家HBM供应商积极提高产能 预计到2025年底TSV产能将达到315KPM 但因三星未通过HBM3e验证且HBM3e - 12Hi良率待提升 预计HBM3e不会供过于求[3] - 存算一体将成为ASIC的替代解决方案:算存一体旨在改善传统冯·诺依曼架构的内存和功率墙;在数据中心应用中 OpenAI的ASIC将成为批量近存计算ASIC;多层SRAM将在计算芯片顶部使用SoIC封装 多个芯片将使用CowoS - L封装;因高带宽SRAM OpenAI的ASIC不需要HBM;ASIC市场快速拓展 预计近存处理将更受青睐以优化推理[3][4] - 智能手机最早将于26年采用存算一体:Android OEM计划从2026年开始在旗舰智能手机中集成更多NPU;兆易创新、华邦电子和南亚科技将供应特种DRAM并管理整个3D封装过程[4] 其他重要但是可能被忽略的内容 - 首次覆盖给予美光和SK海力士“买入”评级[1][2]