财务数据和关键指标变化 - 第二财季总营收约81亿美元,环比下降8%,同比增长38% [43] - 第二财季DRAM营收61亿美元,同比增长47%,占总营收76%;环比下降4%,比特出货量高个位数下降,价格因产品组合改善中个位数上涨 [43][44] - 第二财季NAND营收19亿美元,同比增长18%,占总营收23%;环比下降17%,比特出货量略高,价格高十几%下降 [44] - 第二财季综合毛利率37.9%,环比下降160个基点 [48] - 第二财季运营费用10亿美元,环比持平 [48] - 第二财季运营收入20亿美元,运营利润率24.9%,环比下降约260个基点,同比上升21个百分点 [49] - 第二财季调整后EBITDA为41亿美元,EBITDA利润率50.7%,环比上升10个基点,同比上升14个百分点或20亿美元 [49] - 第二财季税收2.14亿美元,有效税率10.7%,低于指引 [50] - 第二财季非GAAP摊薄每股收益1.56美元,高于指引上限 [50] - 第二财季运营现金流超39亿美元,资本支出31亿美元,自由现金流8.57亿美元 [51] - 第二财季末库存90亿美元或158天,较上一季度增加9天 [51] - 第二财季末持有现金和投资96亿美元,包括未使用信贷工具在内的流动性为121亿美元 [52] - 第三财季预计DRAM和NAND比特出货量增长,毛利率环比下降,运营费用约11.3亿美元,2025财年运营费用增长超10% [53][54] - 预计第三财季DIO下降,2025财年末DRAM库存紧张,第三财季和第四财季非GAAP税率约14%,第三财季资本支出超30亿美元 [55] - 2025财年资本支出预计约140亿美元 [40][56] - 第三财季非GAAP指引:营收88亿美元±2亿美元,毛利率36.5%±100个基点,运营费用约11.3亿美元±1500万美元,预计每股收益1.57美元±0.1美元 [57] 各条业务线数据和关键指标变化 - 计算和网络业务部门(CNBU)营收环比增长4%至46亿美元,占总营收57%,连续三个季度创季度新高,受HBM营收环比增长超50%推动 [45][46] - 存储业务部门(SBU)营收14亿美元,环比下降20%,主要受数据中心客户存储投资减少和NAND行业定价影响 [46] - 移动业务部门营收11亿美元,环比下降30%,因移动客户改善库存状况 [47] - 嵌入式业务部门营收10亿美元,环比下降3%,主要因汽车客户库存改善举措 [47] 各个市场数据和关键指标变化 - 2024年DRAM比特需求增长高十几%,NAND比特需求增长约10%;预计2025年DRAM比特需求增长中到高十几%,NAND增长低两位数%;中期内,预计DRAM和NAND行业比特需求复合年增长率为中十几% [35] - 预计2025年服务器单位数量中个位数增长,传统和AI服务器均有增长,HBM需求强劲,2025年HBM总可寻址市场(TAM)估计超350亿美元 [18] - 预计2025年PC市场单位数量中个位数增长,增长集中在下半年,受Windows 10生命周期结束、老旧设备替换和AI应用需求推动 [28] - 预计2025年智能手机单位数量低个位数增长,AI应用推动移动DRAM需求增加 [30] - 汽车、工业和消费嵌入式客户处于库存调整后期,汽车领域每辆车的内存和存储含量增加 [33] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司处于历史最佳竞争地位,在高利润产品类别中实现份额增长,与客户建立了更深入的关系 [9] - 专注于扩大HBM产能,以满足2026年的需求,1月在新加坡破土动工建设HBM先进封装设施,预计2027年开始扩大总先进封装产能 [14][15] - 爱达荷州新的DRAM工厂建设完成重要里程碑,获得CHIPS项目首笔资金,预计2027财年开始提供有意义的DRAM产出 [15] - 1 - beta DRAM技术领先行业,推出1 - gamma节点并实现基于1 - gamma的D5产品行业首次出货,Gen9 NAND技术节点提供行业最快的TLC - 基于NAND [13] - 继续进行有纪律的投资,以利用AI驱动的增长机会,专注于高价值产品组合的转变 [14][60][61] - 谨慎管理NAND供应,包括资本投资水平、新技术节点的爬坡速度、SaaS容量和利用率,计划将部分未充分利用的NAND设备用于支持向领先节点的资本高效转换,到2025财年末NAND晶圆产能较2024财年末结构性减少超10% [39][40] - 作为美国进口商,对少量可能受新关税影响的产品进行监控,如有影响将把成本转嫁给客户 [41][42] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 公司处于历史最佳竞争地位,在高利润产品类别中实现份额增长,预计第三财季营收创纪录,2025财年实现创纪录营收和显著提高盈利能力 [9][12][60] - 计算硬件的改善、算法和软件的效率提升,推动生成式AI模型成本下降,扩大AI应用范围,为HBM等产品带来增长机会 [16][17] - 客户库存状况改善,智能手机、PC和数据中心市场需求增长,特别是AI相关产品需求增加,推动公司业务发展 [71][72][90][91] - 行业领先的技术和产品地位,以及对高价值产品组合的关注,使公司能够应对市场动态,实现可持续增长 [60][61][82][85][86] 其他重要信息 - 公司财报讨论基于非GAAP财务基础,GAAP与非GAAP财务指标的调节可在公司网站查询 [4] - 公司提醒讨论内容包含前瞻性陈述,实际结果可能与陈述存在重大差异,相关风险可参考公司向SEC提交的文件 [5][6] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1: 第三财季之后毛利率是否会改善,是否涵盖所有DRAM和NAND细分市场 - 第三财季毛利率环比下降,主要因消费导向产品销量增加、消费市场CQ1定价较低和行业因素,部分被HBM增长抵消;虽未提供第四财季指引,但预计毛利率会有所上升;市场条件改善、HBM和其他高价值产品增长将带来积极影响,但NAND产能利用率不足、第四财季开始的建设活动和新节点启动成本将带来挑战 [65][66][67][68][69] 问题2: 本季度DRAM行业比特需求展望提高的原因,除HBM外是否有其他细分市场推动 - 消费者业务客户库存状况改善,智能手机和PC市场AI应用增加推动内容增长,客户恢复采购;数据中心需求持续强劲,HBM、高密度DIMMs和LP均对需求增长有贡献 [71][72][73] 问题3: 第三财季营收增长中DRAM和NAND的贡献分别是多少,以及两者比特增长情况 - 公司提供了综合营收数据、DRAM和NAND的营收、比特增长和价格的年初至今数据,以及全年比特需求增长预测,预计第三财季DRAM和NAND比特均有增长;DRAM因HBM和数据中心业务增长更具优势 [76][77][79] 问题4: 第四财季毛利率能否回到第二财季水平,何时能看到HBM和非HBM DRAM成本下降带来的清晰毛利率数据 - 未提供第四财季毛利率具体数据,但预计会较第三财季有所上升;2025财年DRAM总成本预计持平,NAND总成本预计与前端成本下降一致,呈低两位数下降;公司在NAND方面采取供应行动已初见成效,DRAM方面HBM持续增长,预计财年末DIO水平低于目标;公司将继续推动产品组合向高利润领域转变,提升盈利能力 [82][83][84][85] 问题5: 近期内存价格上涨是真实终端需求还是关税相关拉动,行业定价动态是否可持续 - 智能手机和PC市场消费者库存接近正常水平,需求改善,特别是AI设备对DRAM需求增加;数据中心DRAM需求持续强劲;供应方面,领先边缘DRAM供应因HBM需求和贸易比率增加而紧张,NAND市场因各厂商供应行动和晶圆厂利用率不足而改善;公司将在CQ2推动价格上涨,有望继续增加业务向高利润领域的转变 [90][91][92][93] 问题6: HBM3E 12 - high产量增加时,良率是否低于8 - high,对毛利率是否有负面影响 - HBM3E 8 - high执行情况良好,产量和营收超预期;12 - high生产经验将受益于8 - high,预计12 - high将有溢价,对DRAM利润率有积极贡献;公司计划在下半年将大部分产量转移到12 - high,随着产量增加良率将提高,预计到年底HBM市场份额与整体DRAM市场份额一致 [96][97][98][99] 问题7: 库存目标为120天,如何在两个季度内将库存从158天降至目标以下,库存受HBM供应趋势等因素影响如何 - DRAM市场供应比NAND更紧张,NAND采取的供应行动带来了良好的销量增长并有望持续;DRAM市场因AI驱动的HBM和其他产品增长而紧张;预计第四财季DRAM库存低于120天目标 [102][103] 问题8: 能否说明NAND方面5月和8月的未充分利用费用和期间成本,以及8月和11月的增量建设成本情况 - 第三财季期间成本低于原预期,部分未充分利用费用将计入库存;第四财季和2026年未吸收成本会影响毛利率,但业务增长、市场条件改善和产品组合优化预计将使第四财季毛利率有所提高;随着爱达荷州晶圆产出临近,启动成本将在2026年增加,公司将在计划和时间确定后提供更多信息 [108][109][110] 问题9: 修订后的HBM行业收入展望中,上半年和下半年的框架如何 - 下半年HBM收入将因从8 - high向12 - high转变而增加,12 - high有溢价;预计2025年HBM行业总营收超350亿美元,下半年占比更大;客户群扩大也将推动下半年HBM收入增长 [113][114] 问题10: DRAM低端市场LP4和DDR4的情况,以及随着HBM增长和消费市场正常化,对下半年营收和利润率的影响 - 本财年剩余时间内,LP4和D4产品营收占公司总营收约10%;随着公司在D5、HBM和数据中心及消费市场其他产品的领先地位,LP4和D4占比将逐渐减小;DRAM行业整体需求和供应状况改善将影响所有细分市场 [117][119][120] 问题11: 过去称HBM全年售罄,但TAM假设提高,明年是否有能力增加产能以维持HBM市场份额与整体DRAM市场份额一致 - 预计到2025年底HBM市场份额与行业DRAM份额一致,2026年全年份额将更高;公司将继续增加HBM产能,专注于从8 - high向12 - high转变,推动HBM4明年上市并满足相关产能需求;虽未预测2026年市场份额,但对HBM业务的技术、产品、制造和客户关系有信心 [123][124] 问题12: 相同营收水平下,当前毛利率比三年前低10个百分点的原因,以及毛利率是否有可能回到50%以上 - DRAM毛利率健康,受D5、LP5和HBM产品技术和产品地位支持;NAND因行业供需失衡拖累毛利率;公司将继续推动业务向高价值解决方案转变,加强产品组合、管理供需、技术开发和成本控制,预计行业基本面将改善 [128][129][130] 问题13: 提到增加高价值解决方案组合,但毛利率下降是因消费市场暴露增加,NAND下降幅度大于DRAM,DRAM是否也出现消费市场暴露增加情况,原因及如何改变 - DRAM在数据中心业务表现良好,产品组合占比增加;消费市场过去几个季度存在库存积压,随着库存接近正常化和AI驱动需求增加,智能手机市场需求强劲反弹,导致HBM贸易比率和领先边缘供应紧张;供需基本面改善将推动CQ2价格上涨,NAND市场也因供应行动和库存正常化而需求回升 [132][134][135]
Micron Technology(MU) - 2025 Q2 - Earnings Call Transcript