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未知机构:摩根士丹利-中国能没有美国芯片吗?–20250507-20250507
2025-05-07 12:00

纪要涉及的行业和公司 - 行业:AI芯片、半导体 - 公司:华为、英伟达、中芯国际(SMIC)、北方华创(Naura)、中微公司(AMEC)、盛美上海(ACMR)、华大九天(Empyrean Technology)、长电科技(JCET)、通富微电(Tongfu Microelectronics)、华海清科(HHCK Advanced Materials)、四川华丰科技(SichuanHuafengTech)、方正科技(ChinaFastPrint)、神州数码(Digital China Group)、比克动力(Bichamp)、申菱环境(Shenling)、飞荣达(FRD)、川润股份(Chuanrun)、SK海力士(SK hynix)、Ecopro BM、HD现代电气(HD Hyundai Electric Co Ltd)、L&F Co Ltd、LG Display、LG电子(LG Electronics)、三星电子(Samsung Electronics)、三星SDI(Samsung SDI)、瑞安金(Ryan Kim)、法杜公司(Fadu Inc)、汉美半导体(Hanmi Semiconductor Co. Ltd.)、伊苏佩塔西斯(Isu Petasys Co. Ltd.)、利诺工业(Leeno Industrial Inc.)、乐天能源材料(Lotte Energy Materials Corp)、LS电气(LS Electric)、浦项制铁未来M(POSCO FUTURE M)、SK IE Technology、沃尼克IPS(Wonik IPS Co Ltd)、LG Innotek、三星电机(Samsung Electro-Mechanics)、首尔半导体(Seoul Semiconductor) 纪要提到的核心观点和论据 华为CloudMatrix 384 Supernode系统 - 核心观点:华为推出的CloudMatrix 384 Supernode系统可解决中国计算能力瓶颈,推动AI创新,挑战美国AI硬件主导地位,重塑AI市场[1][7][9] - 论据:该系统基于384颗华为昇腾910C AI芯片,系统性能与英伟达GB200 NVL72相当,计算能力达300 PFLOPS,超英伟达NVL72系统的180 PFLOPS;已用于支持DeepSeek - R1;华为AI解决方案已在超60个国家部署,服务超1500个客户,云解决方案有140家运营商和500家金融机构客户[1][9] 中美AI芯片发展策略差异 - 核心观点:中美在AI芯片发展上采取不同策略,未来AI计算更注重系统工程[13] - 论据:英伟达追求计算极限、铜互连和统一内存模型,优化每瓦功耗;华为因受限无法拥有最先进芯片,采用大量昇腾处理器扩展规模,利用光网络和大内存池,发挥国内电力和网络资源优势 中国AI芯片发展潜力 - 核心观点:中国企业不依赖西方最先进技术也能实现可比芯片竞争力,未来发展前景好[2][30] - 论据:中国在芯片设计和生产方面的研究论文数量是美国的两倍;华为虽当前效率不高,但产品能满足中国需求,获取市场份额和收入以支持进一步投资 相关公司发展情况 - 核心观点:中芯国际产能有望提升,华为昇腾芯片产量和性能有发展空间[24][25][23] - 论据:中芯国际预计到2025年底将先进节点产能提升至70k wafers per month,若7nm产能翻倍,可生产3 - 400万颗国产GPU;假设中芯国际为华为分配15k wafers per month先进节点产能,每年可生产360万颗AI GPU;华为新的昇腾920 AI芯片将采用中芯国际6nm工艺,性能提升30 - 40% 其他重要但是可能被忽略的内容 - 华为CloudMatrix 384系统不足:该系统功耗是GB200 NVL72的3.9倍,每FLOP功耗高2.3倍,每TB/s内存带宽功耗高1.8倍,每TB HBM内存容量功耗高1.1倍,但中国电力资源丰富、成本低,可弥补效率不足[10][19] - 华为芯片供应挑战:华为910C芯片设计在中国,由台积电代工,使用韩国HBM和多国设备;中芯国际虽能生产部分昇腾910B/C,但产能有限;国内DRAM生产商长鑫存储至少一年后才能生产旧款HBM2E;当前对中国HBM出口禁令针对裸HBM封装,含HBM的GPU/ASIC芯片只要不超FLOPS规定仍可发货[22] - 中国半导体其他突破:2024年9月上海交通大学无锡光子芯片研究院启动国内首个光子芯片中试线,计划2025年第一季度发布首个PDK,年产能1万片晶圆;北京大学团队2024年宣布世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片;2025年2月北京大学团队发布世界首个基于Bi₂O₂Se的2D低功耗GAAFET晶体管[33][34]