纪要涉及的行业或者公司 - 行业：半导体行业中的DRAM（动态随机存取存储器）行业 - 公司：三星电子（SEC）、SK海力士（SKH）、美光科技（Micron）、长鑫存储（CXMT）、东京电子（Tokyo Electron）、日立高新（Hitachi High - Tech）、理学控股（Rigaku HD）、南亚科技（NYT）、铠侠（Kioxia）、西部数据（WD）、BESI、Hanmi Semiconductor、Hanwha Semitech、AUO、Hitachi、Nanya Technology、Rigaku Holdings、SK hynix、Samsung Electronics、Tokyo Electron 纪要提到的核心观点和论据 市场趋势与前景 - 长期市场动态：过去50年DRAM市场增长显著，占半导体市场10 - 20% ；过去40年DRAM位需求增长率呈结构性下降，ASP呈结构性通缩但下降速度放缓，TAM CAGR在过去10年加速，未来有望维持两位数增长，得益于数据中心/AI服务器成为新需求驱动以及HBM的发展 [13][14][15][16] - 供需与价格：DRAM ASP受供需不匹配影响波动大，当前位/晶圆效率停滞，供应商供应扩张保守，但ASP仍呈周期性趋势；中国长鑫存储虽产能扩张，但短期内高端市场影响力小，DDR4/LPDDR4减产或使DDR4现货价格短期上升 [22][23][34][39] - 未来五年展望：预计2030E前DRAM TAM CAGR维持在中低两位数，得益于低两位数的位需求和低到中个位数的ASP扩张；消费电子位需求增长在6% +/- 范围，通用服务器低两位数位需求CAGR；非HBM应用未来五年ASP CAGR为 - 6%，HBM ASP先升后降，混合ASP到2029E上升 [44][45][46] 技术发展 - 后端技术与资本投入：后端是提升内存性能的关键，未来资本投入将更多向其倾斜，建设HBM晶圆厂成本更高，但可被更高的$/bit和利润率抵消；预计未来晶圆产量在FY25E/26E分别增长13%，但HBM有效产能低于名义产能 [10][123] - 技术变革：4F²/3D DRAM是未来技术拐点，4F²可使内存密度提高约30%，预计在本十年后半段采用，3D DRAM因技术难题预计在2030年中期采用；HBM和封装技术进步缩小了“内存墙”差距，但处理器和DRAM容量差距仍推动行业寻求新解决方案 [10][149] 投资建议 - 估值与股价：当前领先内存制造商股价低于（不含HBM）DRAM趋势，估值下降；预计未来4 - 5个季度DRAM ASP增长率下降，对2026年趋势更谨慎；平均P/B在1 - 2之间波动，SKH从中长期看风险回报更优 [179][180] - 投资推荐：长期看好SKH和MU，因其在特定应用内存方面与生态系统伙伴合作良好；短期DDR4价格反弹利好NYT和SEC；牛市情景下AI相关需求强劲，熊市情景下AI需求下降、成本通胀等因素不利 [191][199] 其他重要但是可能被忽略的内容 - 行业竞争格局：DRAM行业从20世纪90年代的20多家参与者整合为现在的三大主要参与者 [21] - 不同架构特点：DDR用于通用计算，从2000年到2025年带宽增长16倍、电压降低约56%；LPDDR用于低功耗应用，带宽增长21倍、电压降低42%；HBM因AI快速发展，过去12年内存带宽增长16倍 [106] - 资本支出趋势：2017年后DRAM资本支出与销售比率平均高于过去，主要归因于EUV工具和后端投资增加；未来内存制造商将注重后端设施建设和技术迁移，而非过度增加产能 [123] - 混合键合技术：混合键合设备在半导体行业逐渐发展，用于下一代HBM，但面临清洁室环境、吞吐量、产量和经济成本等挑战，预计最早在2027年上半年开始采用 [175][176]