纪要涉及的行业和公司 - 行业：电子存储行业，细分包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash、企业级SSD等市场 - 公司：SK海力士、三星、美光、兆易创新、北京君正、江波龙、德明利、百维存储、朗科科技、万润科技、深科技、铜芯科技、华邦电子、紫光国芯、青云科技、亿联网络、亿恒创园、大普微电子、威刚科技、浪潮信息等 [18][24][28] 纪要提到的核心观点和论据 存储市场价格上涨原因 - 存储需求回暖，5月DRAM和NAND价格连续两月上涨，DRAM 5月平均价格上涨27%，4月上涨22%；多家原厂上调DRAM价格、停产DDR3和DDR4推动补货需求；美国对等关税政策和90天暂停期提升囤货热情 [3][4] AI技术对存储市场的影响 - 全球AI驱动的存储市场预计从2024年的287亿美元激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达22.4%；中国存储产业链受益于AI自主可控政策，在利基DRAM、NAND和NOR Flash领域开拓；AI应用使Flash市场容量和需求上升，驱动企业级SSD和NOR Flash市场增长 [1][5] 存储行业国产化前景 - 国产化前景广阔，虽2024年国产DRAM份额低于5%，国产NAND Flash芯片市场份额低于10%，但市场需求与政策驱动下国产化率有望提升；国内上市公司覆盖利基DRAM、NOR Flash、小容量NAND Flash等领域，形成差异化格局 [14] HBM与传统内存对比 - HBM具备更高带宽、更低功耗等优势，为端侧AI提供适配存储方案；预计2025年HBM占全球DRAM总产能比例超10%，产值占比超30%，市场规模从2024年的6979亿增长到2029年的8934亿，年复合增长率约5% [1][8] CXL技术重构算力基础设施 - CXL通过内存池化等特性改善计算系统组件间通讯效率；预计到2028年新增市场规模近160亿美元，中国占50%约80亿美元；与传统方案相比每GB内成本降低约一半 [1][9][10] MRDIMM在AI时代的作用 - MRDIMM借助DDR5规范提升带宽及运算效能，容量大、成本低、扩展方便，可兼容DDR5插槽，在科学计算、大语言模型推理等场景效能提升显著，推动终端市场需求增长，加速AI基础设施建设 [3][11] 分布式存储技术在AI中的应用优势 - 分布式存储技术提供系统可扩展性和容错性，优化AI训练和推理中的数据保护和管理，满足高阶智能驾驶时代数据闭环和传感器多模态数据存储需求 [12] 自动驾驶对边缘侧数据存储的要求 - 自动驾驶对边缘侧数据存储可靠性要求极高，需同步提升存储能力以满足实时性要求，多数数据在边缘侧处理和存储，带动边缘侧存储空间增长，预计边缘存储增长速度是核心存储的两倍，需采用多种数据冗余和保护机制 [13] DRAM市场趋势 - 呈现利基市场格局重塑与3D DRAM走向产业化趋势；中国DRAM市场增速预计高于全球，到2029年规模有望增长至3440亿元；短期内DDR4利基市场行情优于主流存储市场 [3][16] NAND Flash市场状况及预测 - 2024年Q4和2025年Q1受库存和需求影响营收下滑，Q2行情好转营收有望反弹，品牌厂营收环比增长10%左右；Q3企业级SSD需求成价格上涨主要支撑，价格季涨幅有望达10%左右 [21] 云服务供应商AI投资计划 - 多个海外云服务供应商大厂维持或提高2025年资本支出计划，如Meta、谷歌、微软；国内阿里巴巴、腾讯、百度、字节跳动也有相关投入，推动企业级SSD市场增长 [22][23] 中国企业级SSD市场发展情况 - 2024年市场规模为62.5亿美元，同比增长显著；预计到2029年达91亿美元，本土存储模组厂市场份额有望快速提升 [3][24] NOR Flash利基市场发展前景 - 受益于物联网、汽车电子、5G等领域发展及端侧AI扩容，总需求增长；汽车电子和物联网对NOR Flash需求增加，预计到2028年全球市场规模持续增长 [25] AI PC与智能可穿戴设备对Flash存储的影响 - AI PC渗透率增长为Non - Volatile Storage业务带来增量；智能可穿戴设备对NAND Flash容量要求提升；国内企业在NAND Flash行业逐步形成竞争优势 [27] 其他重要但是可能被忽略的内容 - DDR3和DDR4市场迭代：DDR3从推出到市场占比达84%用了约7年，DDR4推出后DDR3价格下跌但未完全脱离主流市场，目前DDR3价格因市场景气度和停产计划临近有所提高；短期内DDR4利基市场行情因供需不平衡优于主流市场，兆易创新等有望受益 [17] - 高带宽堆叠DRAM发展趋势：需求因AI产业崛起增加，2024 - 2029年复合年增长率超25%；技术路径有HBM和堆叠晶圆；SK海力士、三星和美光垄断全球HBM市场，多家厂商投入3D DRAM研发 [18] - 先进半导体设备与产线要求影响：头部厂商推动DRAM制程进步，未来可能有更多存储厂商与台积电等合作；先进封装方面，行业共识混合键合技术适用于未来多层次HBM [19] - 北京君正3D DRAM研发情况：3D DRAM处于研发中，进展基本符合预期，可满足客户个性化需求，提供更好带宽 [20] - 值得关注的公司：包括存储IC设计、互联控制芯片、存储模组、封测、系统解决方案等领域的公司，如兆易创新、蓝思科技、德明利等 [28] - 风险提示：需关注国际形势变化引发进出口政策调整、下游行业不及预期、AI产业发展不及预期等风险，可能影响价格、行情和盈利水平 [29]