电子行业：部分存储涨价，AI 和国产化驱动行业增长 20250622 摘要 DRAM 市场预计 2025 年二至三季度持续上涨，受原厂停产 DDR3/ DDR4、补货需求及关税政策影响，服务器 DDR4 模组及消费电子 DDR4 颗粒涨幅显著。NAND Flash 方面，二季度受国际形势影响价格 上涨，三季度企业级 SSD 需求将成主要支撑。 AI 技术驱动存储市场高速增长，预计全球 AI 驱动存储市场将从 2024 年 的 287 亿美元激增至 2034 年的 2,552 亿美元，年复合增长率达 22.4%。中国存储产业链有望受益于 AI 自主可控政策，在利基 DRAM、NAND 和 NOR Flash 领域持续开拓。 HBM 相较传统内存具备更高带宽、更低功耗等优势，为端侧 AI 提供更 适配的存储方案。预计 2025 年 HBM 占据全球 DRAM 总产能比例超 10%，产值占比超 30%，市场规模预计从 2024 年的 6,979 亿增长到 2029 年的 8,934 亿，年复合增长率约为 5%。 CXL 技术通过内存池化等特性改善计算系统内部组件间通讯效率，预计 到 2028 年 CXL 新增市场规 ...