行业与公司概述 * 行业聚焦全球内存技术（Global Memory Tech）[1] * 核心公司包括SK海力士（SK Hynix）、三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）等[2][75][77] --- 核心观点与论据 1 行业动态与出口增长 * 韩国半导体出口7月同比大幅增长32%（vs 1-6月平均+11%），金额达150亿美元接近历史高位[1] * 增长驱动力：12层HBM3e（SK海力士大规模出货+三星扩产）及大宗存储芯片（合约价上涨）[1] * 美国科技巨头资本开支上调20%+（2026-27年预测），推动需求而非渠道补库存[1][25] 2 HBM4订单进展 * SK海力士或于1-2个月内敲定2026年HBM4订单（客户含NVIDIA等美国科技公司）[2] * 预计HBM4价格溢价15-20%（vs HBM3e），初期溢价或达30%+（因低良率和小规模生产）[2] * HBM4量产需2-3季度，2025Q4-2026年交付量或率先确认[2] 3 三季度ASP展望 * 内存芯片制造商预计Q3 ASP环比增长5-10%： - 传统DRAM +10%+ - DDR5 +5% - 12层HBM3e价格稳定，8层HBM3e下降5-10% - SSD低个位数增长（PCIe Gen5驱动）[3] * DRAM销售预计环比增长17%（ASP +8%，出货量+8%），NAND增长8%（ASP +6%）[3] 4 资本开支与产能 * 内存资本开支2025/26年预计增长18%/7%，HBM和先进封装领域增长显著[4] * DRAM利用率2025H2预计恢复至85%+，NAND因需求风险利用率略低[11][18] * SK海力士HBM产能占比2025年或达33%（vs 三星21%）[77] --- 关键数据与图表引用 * 价格趋势 - DDR5现货价6.2美元（YoY +20%），DDR4现货价8.8美元（YoY +127%）[7] - 8Gb DDR4价格年内上涨218%，16Gb DDR4溢价40% vs DDR5[50][70] * HBM市场预测 - 2026年HBM市场规模504亿美元（YoY +42%），SK海力士市占率60%+[75][77] - HBM4带宽2TB/s（vs HBM3e 1.2TB/s），2025H2量产[76] * 资本开支 - 2025年DRAM资本开支455亿美元（SK海力士占比31%）[81] - NAND资本开支增长疲软（2025年+4%）[82] --- 其他重要信息 * 库存与供需 - DRAM/NAND库存已回归正常水平（2025年中）[10] - 2025Q2 DRAM供需比或趋紧[15] * 风险提示 - 东京电子下调2H26收入指引20%，内存设备需求同步减弱[4] - 美国关税、HBM技术竞争为潜在下行风险[106] * 估值比较 - SK海力士2025E P/B 2.4x（高于历史均值1.3x），三星1.2x[94] （注：未包含免责声明及非分析相关内容[5][6][112-125]）