行业与公司 - 行业为高端光学设备，聚焦光刻机技术[1] - 涉及公司包括ASML（i线/DUV/EUV设备制造商）、京上微装（LDI光刻机厂商）及国内光学加工设备厂商（成都、长沙等地）[16][19][22] --- 核心技术参数与原理 光刻机基础原理 - 投影式光刻依赖波长、数值孔径（NA）、工艺因子三要素[2] - 波长演进：i线（365nm）→DUV（248nm/193nm）→EUV（13.5nm），EUV需反射镜系统[2][7] 分辨率提升路径 - NA与分辨率成正比，浸没式技术（水介质）提升NA，28nm以下节点必备[5] - 工艺因子优化包括离轴照明、掩模板设计等，需Fab厂协同[6] 关键子系统要求 - 照明系统：均匀性需<1%，离轴照明滤基频光保留高频信息[9] - 物镜：波像差控制在几纳米（λ/100），需解决热效应[10][14] - 工件台：纳米级定位精度，支撑大面积曝光[11] - 光源系统：功率稳定性关键，DUV用氟化氪/氩，EUV用等离子体激发[3][12] --- 技术难点与供应链 光学材料挑战 - EUV无透射材料，依赖反射镜系统，研发难度高[7][8] - DUV/EUV镜片加工精度：DUV需几纳米面型精度，EUV需原子级评估[17][18] 国内供应链进展 - 高精度镜片加工仍依赖国家队，但国产设备（磁流变/离子束）已进入量产体系[19][25] - 国内光学加工能力接近海外水平，但高级镜片加工周期长（如离子束打磨DUV镜片需1个月）[19][28] --- 设备价值与应用场景 光刻机类型与制程 - i线：微米级；DUV通过工艺优化可达7/5nm；EUV专攻10nm以下节点（已应用至3nm）[15] - 逻辑/存储芯片制造差异：按需求选择技术类型[15] 设备成本结构 - 售价：i线（千万级）→DUV（数千万至近亿美金）→EUV（数亿美金）[16] - 光学系统占比：DUV占整机成本50%，EUV更高[16] LDI光刻机趋势 - 先进封装用LDI成本低（无需大口径物镜），但曝光面积小需多激光头并行[22] - 国内京上微装已发货500台，未来需求涵盖封装载板、光子芯片等[22] --- 其他关键信息 设备维护与寿命 - i线易损件：反光碗（镀膜损坏）；DUV需每3-5年更换扩束镜等[21] 设计协作模式 - 国内系统设计能力初具，但分工合作仍存（如初抛外包、精抛自研）[23][24] 竞争对手 - 海外先进厂商未具体提及，需外部查询[29]