行业概述 * 行业：全球内存技术（Global Memory Tech） * 核心议题： - 美国对内存芯片征收100%关税的影响被评估为有限，主要基于潜在豁免（如三星、SK海力士、美光等芯片制造商及苹果、英伟达等客户）[1] - 韩国政府认为最惠国待遇（MFN）下关税仍为15%，且亚洲组装线消化大部分内存芯片，直接出口美国比例低[1] - 主权AI项目（如韩国1.3万颗GPU采购计划）推动新需求[1] 公司动态 * 三星电子（Samsung Electronics）： - 可能参与苹果6000亿美元的美国制造计划（AMP），但尚未获得iPhone应用处理器（AP）代工订单（目前由台积电独占）[2] - 需证明2nm/1.4nm制程的产能和良率以争取苹果订单[2] - 当前12层HBM3e产能主要供应非英伟达客户，英伟达订单量预计较低（3季度末）[2] * SK海力士（SK Hynix）： - 在12层HBM3e市场占据70%以上份额（截至3季度中）[2] - 计划在印第安纳州建设HBM先进封装厂，投资38.7亿美元，目标2028年下半年量产[11][12] 内存市场趋势 * DDR4供应与价格： - 7月合约价环比上涨45%以上，但产能持续转向DDR5/GDDR7/HBM，DDR4占总DRAM产能比例从2024年初的20%+降至3季度不足5%[3] - 8Gb DDR4现货价年内涨幅达218%，当前价格较16Gb DDR5溢价60-70%[40][48] * DRAM周期： - BofA内存指标显示行业处于中周期（101，上行周期起点为110+），DRAM表现强劲（6月现货价同比+45%，ASP同比+11%，销售额同比+32%），但NAND疲软（现货价同比-20%，ASP同比-25%）[4][14] - 韩国半导体出口同比+12%，7月增长进一步加速[4] 其他关键数据 * 价格动态： - 16Gb DDR5现货价达6.2美元（历史高点），8Gb DDR4现货价5.4美元（同比+173%）[7][40] - 512Gb NAND晶圆现货价2.8美元（同比-15%），但7月环比小幅回升[7][50] * 美国晶圆厂投资： - 三星德州泰勒工厂投资增至450亿美元（原170亿），目标2026年投产4nm-2nm逻辑芯片[11][12] - 美光宣布200亿美元投资计划（150亿用于内存制造，50亿用于研发）[12] 风险与机会 * 潜在风险： - HBM供应过剩担忧（SK海力士股价回调）[17] - NAND需求疲软持续（ASP同比下滑）[4] * 投资机会： - SK海力士因HBM领先地位估值有望提升（当前P/B 2.7x vs 美光2.3x）[70] - DDR4合约价上行空间（产能收缩驱动）[3] 图表摘要 * Exhibit 7：BofA内存指标与股票表现高度相关，7月反弹由三星（特斯拉代工订单）和南亚科技（DRAM减产受益）驱动[17] * Exhibit 13：韩国政府GPU采购计划中，NHN Cloud获7,656颗B200 GPU，Naver Cloud获3,056颗H200 GPU[13] 注：未包含免责声明及分析师联系方式等非核心内容。