这份文档是花旗银行（Citi Research）发布的一份关于全球半导体行业，特别是内存（DRAM和NAND）市场的深度研究报告。以下是基于全文内容提取的关键要点： 涉及的行业与公司 * 行业：全球半导体行业，核心聚焦于内存芯片市场，包括DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存 [1] * 涉及公司：三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光科技（Micron Technology）、闪迪（SanDisk） [1][5] 以及其他科技公司如英伟达（NVIDIA）、超微半导体（AMD）等 [85] 核心观点与论据：2026年内存供需展望 * 核心观点：预测2026年全球DRAM和NAND市场将出现供应短缺，供需比（S/D Ratio）分别为-1.8%和-4.0% [1][9][14] * 需求驱动因素：AI需求正从训练（Training）转向推理（Inference）和边缘AI设备，这将驱动对通用服务器DRAM、移动DRAM以及高带宽高密度NAND（如基于QLC的eSSD）的需求 [1][2][3] * 供应限制因素：尽管传统内存需求增长，但内存供应商继续优先将资本支出（Capex）投入HBM（高带宽内存），牺牲了传统内存的产能扩张 [1][4][16] * 价格影响：供需紧张将导致2026年内存价格面临上行压力，预计DRAM和NAND的ASP（平均销售价格）将分别同比增长15.5%和17.1% [1][36][72] DRAM市场详细分析 * 供需预测：2026年DRAM位元供给（Bit Supply）增长17.5% YoY，需求（Bit Demand）增长20.1% YoY，导致供需比为-1.8% [2][17] * 需求细分：服务器DRAM需求增长最为强劲，预计2026年同比增长31%，总量达1983亿颗（1Gb等效）；移动DRAM需求预计增长23.2% YoY，达790亿颗 [20][21] * 产能与投资：2026年整体DRAM行业产能预计增长7.2% YoY至2109K WPM（千片晶圆/月）；资本支出预计增长12.2% YoY，但大部分将用于HBM和先进制程 [23][27] * HBM展望：尽管HBM需求旺盛（+37% YoY），但由于供应商（包括三星可能进入HBM4市场）的产能增加，预计2026年HBM市场将轻微供过于求，供需比为+1% [31][46] NAND市场详细分析 * 供需预测：2026年NAND位元供给增长16.5% YoY，需求增长21.4% YoY，供需比为-4.0% [3][52][67] * 需求驱动：eSSD需求是主要增长动力，预计2026年同比增长43.2%，受AI服务器和边缘AI应用推动 [3][52] * 供应限制：NAND资本支出增长缓慢（2026E +9.0% YoY），且若美国VEU（经验证最终用户）许可撤销生效，可能进一步制约供应 [3][52][72] * 技术趋势：高带宽、高密度NAND（如QLC eSSD、HBF/HBS）将成为AI推理服务的优化解决方案 [60][61] 资本支出（Capex）预测 * 总投资：2026年全球内存（DRAM+NAND）资本支出预计增长11.1% YoY，达到457亿美元 [80][81] * DRAM投资：DRAM Capex预计增长12.2% YoY至300亿美元，主要用于HBM4/4E的前端先进制程和TSV生产线扩张 [81] * NAND投资：NAND Capex预计增长9.0% YoY至156亿美元，从2025年的下降中反弹 [81] 投资建议与其他重要内容 * 投资评级：重申对三星电子、SK海力士、美光科技和闪迪的“买入”（Buy）评级，预计这些龙头内存制造商将从边缘AI内存解决方案的需求增长和传统内存供应限制中受益 [1][5] * 风险提示：报告包含大量免责声明，指出花旗集团及其关联公司可能与报告中提及的公司存在业务往来和利益冲突 [7][86][87] * 数据来源：报告中的数据主要基于DRAMeXchange、TrendForce以及花旗研究自身的预测 [11][13][25]