Workflow
氮化镓及功率半导体解读专家会
2025-10-23 23:20

行业与公司 * 纪要涉及的行业为功率半导体行业,特别是氮化镓和碳化硅技术领域[1] * 纪要重点讨论的公司包括国内厂商英诺赛科、三安光电、华润微电子、芯联集成、华虹半导体、士兰微、中车时代等[6][17][23] * 纪要也提及国外厂商如英飞凌、纳微塔斯、EPC、Transform、意法半导体、安森美、德州仪器等[6][8][16][23] 核心观点与论据:氮化镓技术应用与市场 * 氮化镓在高功率应用中逐渐占据优势,尤其是在1千瓦到10千瓦范围内,其性价比优于碳化硅,预计未来市场空间可达数十亿甚至百亿规模[1][2] * 主要应用驱动力来自英伟达等AI服务器的800伏供电架构,该架构将氮化镓功率器件应用推向更广泛市场[1][2] * 在800伏直流供电架构中,1,000瓦是氮化镓与硅基IGBT的分界线,超过1,000瓦时氮化镓损耗更低,成本逐渐降低,在3,000瓦平台上性价比优势明显[1][3] * 氮化镓器件在800伏平台上已能满足1,200伏极限电压要求,适用于英伟达新平台,平台功率可达千瓦级,最高可推至3,000瓦[2][11] * 氮化镓器件主要有耗尽型和增强型两种技术路线,目前主流是增强型[1][12] * 氮化镓市场目前多数厂商亏损,主要因产能不足和需求有限,长期来看需求增加将推动产量提升并稳定价格[2][15] * 氮化镓材料成本本身较硅略贵,理论上其价格应比IGBT贵20%至30%左右以维持正常商业模式[15] 核心观点与论据:氮化镓与碳化硅比较 * 碳化硅在高压应用中更稳定可靠,因其采用同质外延,材料质量和缺陷密度远低于氮化镓,导热性能优越[1][13] * 氮化镓适用于中低压、高频领域,但在超过800伏的高电压应用中面临漏电流发热挑战,材料缺陷密度增加[1][13][14] * 在1,000至3,000瓦范围内,由于价格敏感且需求量大,市场份额会倾向于选择性价比更高的氮化镓而非碳化硅[4] * 碳化硅器件价格更高,大约是氮化镓的一倍,例如在AI服务器800伏架构中,氮化镓芯片成本约100元人民币,而碳化硅单价若超过200元人民币则不太可能被采用[5] * 碳化硅价格下降主要因供过于求,存在非理性低价竞争,未来供需平衡后价格应回归合理水平[2][16] 核心观点与论据:主要厂商与竞争格局 * 英诺赛科是全球最大的氮化镓厂商,占据约三成市场份额,产品覆盖100伏至1,200伏,已通过英伟达验证[1][6] * 英诺赛科的技术壁垒主要体现在芯片制造的前道和后道工艺上,并形成规模效应,其后道工艺与硅基IGBT通用,使其8寸硅基IGBT工艺成熟,良率高[1][9] * 从芯片技术角度看英诺赛科领先,而在整体系统解决方案上则是英飞凌最强,英飞凌擅长系统方案设计,盈利能力最强[8] * 台积电退出氮化镓代工业务对大陆厂商是利好,因其6寸生产线性价比低,英诺赛科已建全球首条8寸氮化镓专线,降低成本[2][21] * 目前8寸氮化镓晶圆价格已低于6寸,8寸售价在四五千元左右,而之前台积电生产的6寸氮化镓晶圆售价约为六七千元人民币[2][22] 核心观点与论据:产能、供需与价格 * 当前氮化镓市场处于亏损状态,大多数厂商尚未实现盈利,主要由于当前产能规模不足以及市场需求有限[15] * 英诺赛科目前年产能为15,000片,但其设计产能可达6.5万片至7.8万片,如果未来产能扩大至4万片或5万片,其运营成本将显著降低,有望实现盈利[15] * 功率半导体在整个半导体芯片中占比相对较小,约为5%到7%,目前市场总体处于供需平衡状态,甚至略有供大于求[18] * 未来功率半导体需求增长主要来自新能源储能和数据中心等领域,新能源风光储能领域至少有6到7倍的增长空间[19][20] 其他重要内容:供应链与地缘政治影响 * 安世半导体被制裁对工业半导体特别是汽车电子领域影响较大,但其空缺很快会被其他品牌填补,国内企业如芯联集成、华润微电子、中车时代等有望扩大市场份额[17] * 安世半导体2024年的产值为147亿人民币(约20多亿美元),其被制裁后,市场份额大致在百亿人民币左右,将由国内主要企业分食[24] * 台积电退出氮化镓代工业务,因其6寸生产线成本比8寸生产线高30%,需要扩建先进封装产能,大陆厂商在氮化镓代工领域将获得更大发展机会[21]