财务数据和关键指标变化 - 第三季度GAAP净亏损为560万美元 每股亏损017美元 去年同期净亏损为460万美元 每股亏损也为017美元 [18] - 第三季度GAAP运营费用为570万美元 较去年同期的480万美元增加857万美元 主要由于研发费用增加544万美元以及一般行政费用增加353万美元 [18] - 第三季度非GAAP净亏损为440万美元 去年同期非GAAP净亏损为390万美元 非GAAP运营费用增加423万美元 [19] - 股权激励费用在2025年第三季度为130万美元 2024年第三季度为907万美元 增长主要由于去年三月开始采用基于绩效的限制性股票单位 [19] - 截至2025年9月30日 现金及现金等价物余额为2030万美元 较2025年6月30日的2200万美元减少 [20] - 第三季度运营活动使用的现金为340万美元 第二季度为350万美元 [20] - 第三季度通过ATM设施筹集约200万美元净资金 以平均每股523美元的价格出售约393万股 季度后又以平均每股503美元的价格出售约171万股 筹集836万美元 [20] - 截至通话日 流通股为3170万股 [20] - 第四季度预计确认75万至125万美元的NRE收入 与晶圆发货相关 [21] - 本季度毛利率为负 因部分MST沉积成本在本季度发生 但收入将在未来发货时确认 [21] - 2025年全年非GAAP运营费用预计在1725万至1750万美元之间 [22] 各条业务线数据和关键指标变化 - 在环绕栅极领域 与三大竞争对手和一家新兴公司均有合作或讨论 [9] - 在DRAM领域 与三大制造商中的两家积极合作 并与第三家保持良好关系 [9] - 在RF SOI领域 正与四家不同晶圆厂和一家无晶圆厂公司进行集成工作 其中许多正在流片 [9] - 过去三个月为客户处理的晶圆数量创下纪录 [9] - 氮化镓计划与桑迪亚国家实验室合作 正在完成器件制造以展示改进的电性能 早期结果证实MST能增强硅基板上的GaN生长 [14] - 氮化镓工作有望在今年晚些时候公开完整数据集 作为全面推广的前奏 [14] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 业务优先级排序依据为最快上市时间 最高投资回报和突破性长期增长 [10] - 通过将MST沉积在起始晶圆顶部的应用可加速收入 例如RF SOI和氮化镓 未来可能用于下一代DRAM [10][11][50] - 将MST集成到复杂生产步骤中间的应用具有巨大收入潜力 但开发要求更高 涉及环绕栅极逻辑 DRAM 功率器件和其他存储产品 [11] - 与一家领先的资本设备公司合作 展示公司在先进节点上的能力 验证MST在降低接触电阻 改善沟道可靠性和沉积在纳米片晶体管微小结构中的能力 [12] - 本季度将与合作伙伴进行联合客户访问 说服客户其制造过程中的问题可以通过MST解决 [12] - 通过商业合作和大学协作 正在开发大量由MST实现的新突破性材料 已在量子计算 AI服务器功率 高带宽内存架构等领域提交基础专利并制作原型 [13] - 半导体行业正进入新的材料创新周期 在逻辑 内存 功率和RF领域 工程师正触及传统缩放的极限 需要能提升性能 改善可靠性和减少可变性的材料解决方案 [15] - 在AI基础设施和数据中心领域 对功率效率和热管理的需求正推动对器件级创新的重新关注 [15] - 欢迎新任销售副总裁魏娜 其拥有从零开始发展半导体技术许可业务的经验 [16] - 公司优先事项包括强调MST起始晶圆产品以尽快实现生产和收入 利用战略OEM合作伙伴关系通过全面的硅测试结果和早期许可推进环绕栅极逻辑 内存和功率领域的合作 将氮化镓MST技术推进到客户就绪阶段 并在从研发验证和集成向创收许可过渡时保持财务纪律 [17] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 与意法半导体的合作达到拐点 实现了关键器件指标的显著性能改进 但更高的性能伴随着器件寿命的相应减少 [4][5] - 发现一种新的MST实施方案 通过TCAD模拟验证 可使性能提升一倍且不降低器件寿命 [5] - 由于新版本需要器件架构变更 需多个学习周期验证 意法半导体决定不在BCD110平台中集成MST 目前没有未来变体包含MST的计划 意味着该特定项目不再有特许权使用费收入线 [5][6] - 与意法半导体的合作证明了显著的性能增益并验证了MST在一级生产晶圆厂内的集成能力 开发出消除性能可靠性权衡的高性能解决方案 并正与其他市场参与者讨论 [6] - 意法半导体重申打算继续在其他技术领域与公司合作 在其许可下继续在多个不同业务领域进行实验 [7] - 客户正在评估5至48伏功率器件的MST [8] - 桑迪亚国家实验室正寻求在一系列与最高优先级发展领域相对应的Atomera技术领域扩大研发合作 [15] - 第四季度将确认75万至125万美元的NRE收入 来自向运行演示的客户发货晶圆 这些发货及相关收入确认将发生在第四季度及明年 [21] 其他重要信息 - 公司在2025年第三季度通过ATM设施筹集约200万美元净资金 季度后又筹集836万美元 [20] - 销售和营销费用上一季度因招聘销售和营销领导职位而略有上升 相关薪酬费用已纳入计划 [22] - 下个月将参加Craig Hallum Alpha Select会议 [66] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于意法半导体新设计的验证周期和时间问题 [27] - 新实施方案适用于200毫米或300毫米晶圆 性能与可靠性之间的权衡是开发过程中的常态 [28] - 意法半导体向300毫米的过渡延迟了其开发工作 导致没有足够时间运行验证周期以证明新方案 [29] - 意法半导体通过其精确的制造工艺模拟确认了改进 使公司有信心将其作为新产品推向市场 并希望未来能重新与意法半导体就该产品合作 [32][33] 问题: 将从意法半导体获得的经验应用于其他功率客户的可行性 [34] - 可以将在意法半导体使用的技术架构应用于其他客户 这是一种行业已知但此前无法实现的标准设计技术 因MST而变得可行 不涉及意法半导体的专有信息 [35] 问题: 变革性客户的当前状态和数量 [36][37] - 此前一位变革性客户已中止交易谈判 但保持良好关系 目前没有积极合作 [38] - 二月份提到的两位新变革性客户合作非常活跃 创纪录的晶圆处理数量包括这些客户 [38] - 在环绕栅极 DRAM 功率和其他内存架构领域与多个大型客户合作 这些客户都具有变革潜力 合作对象不止二月份提到的两位 [39][40][42] 问题: 上季度提到的大型演示运行的更新和收入贡献 [37][43] - 收入指引涉及多个客户（三个不同客户） 收入在时间上分散 [44] - 大型演示运行是公司有史以来最大的晶圆运行之一 但收入确认取决于客户在评估过程中的学习反馈和实验设置 晶圆发货时间不固定 [45] 问题: MST沉积在晶圆顶部 versus 中间的应用领域和首次许可可能性 [48][49] - 沉积在晶圆顶部的应用包括RF SOI 氮化镓 以及未来可能的下一代DRAM 这种方式更简单 上市时间更快 [50] - 这种方式要求制造过程使用较低温度 RF SOI和新环绕栅极工艺在低温下运行 氮化镓生长温度较高但MST仍可作为起始晶圆工作 [51] 问题: 与大型资本设备合作伙伴的合作范围和客户互动 [52] - 合作主要聚焦于环绕栅极市场 但也进行了DRAM方面的合作和讨论 当前主要重点是环绕栅极和DRAM 路演将主要针对这些领域的客户 [53] 问题: 环绕栅极项目的数量和生产时间表 [54] - 与不同客户合作 生产时间表可能不同 多数客户的目标量产仍是几年后 但也有客户探索使用MST改进当前量产过程的良率 若MST能改善良率且不破坏规格 客户会尽快将其投入生产 [56][57] 问题: JDA-1和无晶圆厂RF被许可方的晶圆运行结果 [58] - 正与这些客户进行晶圆运行 但尚未获得结果 预计结果可能在年底或明年第一季度出炉 届时将推动许可和量产过渡 [58] 问题: 与桑迪亚国家实验室合作的氮化镓测试的经济安排 [59] - 目前是双方各自承担成本 希望产生能导致进一步活动的成果 现阶段没有支付测试费用 获得良好的RF数据有助于向RF SOI器件的最终客户营销 并加强与晶圆制造商Soitec的合作 [59] 问题: JDA-2的更新 [60] - JDA-2正与公司进行晶圆运行 希望明年初获得结果 并努力将其转化为许可和量产计划 [61] 问题: 选择通过博客帖子发布意法半导体新闻的原因 [62] - 与意法半导体的讨论持续到十月初 约一周半前才被告知没有在BCD110中使用MST的计划 认为博客能比新闻稿提供更细致的信息 并确保遵守意法半导体的披露指南 [62][63] 问题: 获得政府资助的可能性 [64] - 通过与桑迪亚国家实验室的合作 政府对许多技术表现出兴趣 公司也继续与政府和CHIPS法案合作 探索通过该渠道交付技术并获得近期收入 [64]