涉及的行业与公司 * 行业为存储芯片（内存）行业，特别是DRAM和NAND闪存 [1] * 涉及的公司主要为韩国存储芯片制造商三星电子（SEC）和SK海力士（SKH） [1] 核心观点与论据 业绩展望与市场预期 * 第三季度业绩强劲已被市场充分预期，投资者更应关注2026年资本支出指引以评估存储厂商的供应纪律承诺以及对OpenAI星门项目进展的可见度 [1] * 存储股在过去3个月上涨136%（同期费城半导体指数上涨24%），因内存AI生态系统中重要性提升以及持续的供需紧张预期 [1] * 尽管存在宏观不确定性且股价大幅上涨可能已计入直至2027年上半年的盈利预期，导致回调可能性，但公司建议逢回调买入，着眼于更持久的高位存储上行周期 [1] 资本支出与供应纪律 * 历史经验表明，资本支出上修评论往往预示着存储周期见顶和股价下跌，但此次为满足星门项目需求的资本支出增长应会受到市场欢迎 [1][7] * 在即将到来的业绩会上，预计存储厂商会对明年增加资本支出的必要性持合理乐观态度，但不会给出具体数字 [7] * 公司预计2026年三星电子和SK海力士的存储资本支出分别为59.1万亿韩元和31万亿韩元，高于市场共识的56万亿韩元和27万亿韩元 [7] * 在设备资本支出和基础设施资本支出之间，预计基础设施将推动存储资本支出上升，并继续优先投资DRAM而非NAND [7] * 考虑到绿地晶圆厂建设需约24个月以及有限的存储产能增加，预计供需紧张将持续至2026年并可能延续到2027年上半年，这有利于存储平均销售价格趋势 [1] 产能规划与星门项目 * 三星电子P4-1和P4-3将在未来12个月内投产，设计产能约为20-22万片晶圆/月（基于1z/1anm制程），P4-2和P4-4将在未来24-36个月内支持产能上线 [1][4] * SK海力士M15X工厂将于2025年第四季度投产，专门生产HBM，设计产能为9万片晶圆/月（基于1bnm制程），在龙仁第一阶段于2027年中投产前产能增加有限 [1][4] * OpenAI星门项目要求到2029年提供90万片晶圆/月的DRAM产能，这约占DRAM总产能的近一半，但短期内关于该项目进展的评论可能有限 [36] 价格与盈利展望 * 预计DRAM平均销售价格在2025年第四季度和2026年第一季度将环比上涨6%-11%，传统DRAM利润率将从2026年第一季度起超过HBM利润率 [13] * 模型显示传统DRAM盈利能力在峰值时将超过70%，略高于前一个利润率峰值（预计在2026年第二季度至第三季度） [13] * 尽管对DRAM平均销售价格上行周期充满信心，但对利润率超过上述水平的可持续性持谨慎态度 [16] HBM技术竞争与展望 * 预计SK海力士将早于竞争对手宣布HBM4认证（不晚于2026年第一季度初），且HBM4价格溢价低于市场担忧（预计较HBM3E 12-Hi溢价35%，绝对价格为2.3美元/Gb） [17] * 预计三星电子将强调来自AMD/博通的强劲近期HBM位元增长，以及可能满足英伟达引脚速度要求的正面前端HBM4芯片性能 [17] * 进入2027年，预计SK海力士将在HBM4E周期拉大与同行的差距，并预计其16-Hi HBM4E份额将逐年增加 [17] 公司比较与估值 * 在强劲的传统存储价格趋势下，预计三星电子与SK海力士之间已扩大的基本面差距将在未来12-18个月内收窄，这可能有助于缩小两者之间的市净率倍数差距（当前为48%，历史平均为11%） [25] * 然而，在2027年下半年，预计绝对的DRAM营业利润差异将再次扩大，因预计SK海力士将在Rubin-Ultra GPU的16-Hi HBM4E中获得更高份额 [25] * 中长期仍更偏好SK海力士，但短期内因估值追赶可能更看好三星电子 [1] * SK海力士市净率已突破历史最高范围达2.46倍远期市净率，三星电子市净率为1.3倍，低于2021年1月的峰值1.9倍 [36] 其他重要内容 * 提供了三星电子和SK海力士各工厂的设计产能和投产时间线详细表格 [4] * 提供了三星电子和SK海力士详细的存储位元增长和平均销售价格季度预测表格 [17] * 展示了三星电子、SK海力士与其他全球存储厂商及费城半导体指数的近期股价表现对比 [46] * 包含大量图表数据，说明历史资本支出与股价关系、HBM销售与利润结构、公司间估值比较等 [8][9][10][11][14][15][18][19][20][23][24][26][27][28][29][33][38][39][42][45]