行业与公司 * 纪要涉及的行业为半导体存储行业，具体包括Norflash（代码型闪存）和DRAM（动态随机存取存储器）市场 [1][2] * 纪要重点分析了存储市场的周期位置、价格驱动因素、供需格局以及主要产品（如利基DRAM DDR4、DDR5、HBM、NAND）的动态 [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12] 核心观点与论据 当前存储市场周期与价格表现 * 存储市场上行周期预计持续至2026年全年，主要由AI需求推动，具备4至6个季度的长周期特征 [3][9] * 当前利基DRAM（如DDR4）价格已全面超越上一轮周期高点，例如8Gb DDR4产品现报价超过5美元，高于2021年高点现货价4.8美元，显示本轮DRAM行情更为强劲 [1][4] * 自第三季度以来，DRAM和NAND价格持续上行，截至第三季度末，DRAM合约价同比涨幅达到170%以上 [10] * 进入第四季度后，服务器DRAM报价大幅上涨60-70%，闪迪NAND合约价单次上调50%，主流DRAM合约价环比涨幅达30-40% [9][10] * 尽管当前全行业需求不如之前强劲，但上游产能挤占导致溢出效应，使得当前DRAM情况比上一轮周期明显，大陆头部厂商毛利率接近50% [1][4] 价格上涨的核心驱动因素 * Norflash价格上涨原因：AI GPU订单激增推动256兆到1GB大容量Norflash需求，车规和工业级应用需求连续三个季度增长，但前三大厂商产能扩张有限 [1][2] * DRAM价格上涨原因：海外大厂减产及HBM（高带宽存储器）和高端DRAM产能挤占，中国台湾和大陆厂商短期内难以弥补产能缺口，利基存储厂商满载运营 [1][2][11] * AI需求是核心驱动力：AI服务器对DRAM需求旺盛，AI推理模型KV Cache对NAND需求增加，这种结构性增量难以填补供给缺口 [9][11][12] 供需格局与未来展望 * 预计2025年第四季度及2026年全年存储市场供不应求局面将持续 [3][11] * 供给端紧张原因：原厂采取保守资本支出策略，倾向于制程升级而非大规模扩产，并将更多资源分配给高毛利率产品如HBM5，加剧了PC和手机等消费级市场供应紧张 [11][12] * 产能扩张受限：中国台湾的IDM模式厂商在2025年的扩展计划已经结束，DRAM和Norflash的产能受到限制，新的产能规划从设备采购到量产至少需要三个季度 [7] * 2026年DRAM产能预计仅有小幅增长，Norflash虽然有国内两大方队支持，但新产线跑通仍需时间，扩产周期将继续支持供需紧张状态 [8] 特定产品市场动态（DDR4 vs DDR5） * DDR4短期内难以快速向DDR5转移，原因包括DDR5货源紧缺，非AI应用领域难以获得其产能；主芯片配套生态尚不支持DDR5；DDR5容量起步基本为16Gb，而8Gb产品并非其甜蜜点 [5] * 在网络设备领域，DDR4生命周期较长且渗透率仍属主流（服务器领域DDR5渗透率较高，但网络设备中渗透率仅个位数左右），保障供应比成本更重要，下游客户对价格波动接受度较高 [5][6] * 未来1-2年内终端客户不愿意大规模更换至新产品，因此网通设备对低基型存储器需求具有正向贡献 [6] 其他重要内容 * 库存水位方面，目前整体行业库存水平正常，但2021年期间由于疫情等因素库存水平不到正常水平的一半 [4] * 一些利基型产品厂商正在快速推进LPDDR4x和LPDDR5的应用，这对于一级厂商来说是机会 [7] * 建议关注相关投资机会，包括设备供应链等领域 [3][12] * 中长期来看，中国大陆存储厂如果能解决扩产问题，存储行业周期性波动可能会发生变化，在新的AI大周期下，下游客户议价权是否会向上游转移也值得关注 [8]