涉及的行业与公司 * 行业为半导体设备行业 特别是存储设备领域 涵盖薄膜沉积 刻蚀等关键工艺环节[1] * 公司包括海外龙头泛林集团（Lam Research） 应用材料（Applied Materials） 东京电子（Tokyo Electron）[1][12] 以及国内公司中微公司 拓荆科技 北方华创 华海清科[1][11][25] 核心观点与论据 市场格局与规模 * 全球半导体设备市场由少数头部供应商主导 薄膜沉积领域全球市场价值量占比约20% 通常有三家左右头部供应商[1][2] * 泛林集团在干法刻蚀领域的全球市占率接近40%-50% 在薄膜沉积领域全球市占率接近20%[1][4] * 应用材料2024年收入体量预计130-140亿美元 泛林集团约为80亿美元 差异源自产品结构和工艺不同[15] 历史业绩与增长驱动 * 泛林集团收入从2014年48.6亿美元增长至2024年162亿美元 年复合增长率12.8% 利润从7.2亿美元增至42.9亿美元 年复合增长率约20%[1][5] * 2017年收入增速50% 利润增速68% 核心驱动力来自NAND存储器同比扩产83% DRAM同比扩产48% 以及3D NAND技术从2D向3D堆叠的结构性变革[9] * 3D NAND技术推动刻蚀和薄膜沉积设备需求 泛林在NAND领域收入从2014-2015年16.3亿美元增长到2022年74.7亿美元[1][11] 未来展望与预期 * 泛林预计2024年至2028年收入复合增长率保持在10%左右 毛利率计划从2024年47.6%提升至2028年50%左右[1][6][7] * 成熟期的国产半导体设备公司预计可实现25%左右的利润率[8] * 逻辑芯片节点间资本开支增速超过30% NAND资本开支增速可能达20%-30%[12] 技术发展趋势 * NAND向更高层数堆叠发展 从200层向300层 400层甚至500层以上演进 DRAM从平面结构向3D结构演进 显著增加对刻蚀与薄膜沉积装备的需求[3][12][16][22] * 3D NAND堆叠层数增加推动极高深宽比刻蚀工艺从40:1提升到90:1 并带来更多金属沉积的新材料应用[3][19] * DRAM市场受益于AI需求爆发 HBM需求增加推动资本开支增长 长兴HBM预计2026年进入产业化阶段[14][23] * 逻辑芯片向2纳米及更先进制程演进 从FinFET向GAA再向CFET过渡 设备开支密度预计实现两倍左右增长[24] * 新兴工艺如CMOS绑定（混合键合）被广泛应用 例如长江存储的X-stacking方案[3][18] 中国市场机遇与挑战 * 中国大陆DRAM和NAND需求占全球比例至少20%-25% 但主要厂商市占率仅10%左右 存在较大扩产空间[3][17] * 长江存储被制裁后 中微公司和拓荆公司正在填补市场缺口[1][11] * 中国存储企业上市将缓解资金压力 支持持续资本开支 有望在全球市占率达到20%以上[3][17] * 长江存储预计2026年进入300多层量产阶段 需通过进一步堆叠层数追赶国际领先水平（如三星 海力士已达400多层）[16] 其他重要内容 * SSD替代传统HDD成为主流存储设备 2017年因3D NAND技术转型期产能滞后导致供需失衡 价格大幅上涨[10] * 从2019年至2025年间 光刻机市场占比下降 而薄膜与刻蚀机占比持续上升[12] * 在180层到500多层NAND产品中 单万片设备开支需求增长约1.8倍[21] * 3D DRAM的发展将带来接近1.7倍的设备开支密度增长[22] * 钼金属的沉积工艺用量预计随技术迭代显著增长[20]