涉及的行业与公司 * 行业为半导体存储行业 具体包括传统存储DRAM和NAND以及高带宽内存HBM[1] * 涉及的中国公司包括长江存储和长鑫存储 其中长江存储在NAND领域具有竞争力 长鑫存储专注于DRAM[1][3][4] * 提及的全球主要存储厂商包括三星、海力士、美光、铠侠、闪迪等[6] * 报告看好与存储设备相关的特种工艺设备厂商如中微公司[1][5] 核心观点与论据：市场与价格 * 传统存储价格预计持续上涨至2026年第二季度 主要驱动力是结构性供应限制和极低的渠道库存[1][2] * 当前渠道库存水平极低 DRAM库存为1.5-2个月 NAND库存为2-2.5个月 均低于正常水平2.5-3个月[2] * 在2025年第四季度DRAM和NAND价格分别强劲上涨23%和20%的基础上 预计2026年第一季度DRAM价格将环比增长17-18% NAND价格环比增长15-16%[2] * HBM价格预计在2026年企稳或小幅走软 原因是激进的产能扩张使供需趋于平衡[2] 核心观点与论据：中国竞争格局 * 中国在NAND和LPDDR5领域的竞争正在加剧 长江存储的Xtacking技术因行业向混合键合方案转变而具备优势 可能在未来一年内获得高端产品认证[3] * 长鑫存储在DRAM领域仍落后全球领先水平1.5-2代 其LPDDR5速度为8000MB/s 而全球标准为9600MB/s 预计需要1.5-2年才能达到国际市场同等水平[3] * 特种工艺设备限制构成硬性瓶颈 使得国内生产LPDDR6和HBM3e的可能性极低[1][3] * 中国正进行激进的产能扩张 资本支出预计达到150-160亿美元[1][4] 核心观点与论据：产能与资本支出 * 2026年是中国产能扩张的关键一年 长鑫存储计划将DRAM产能从每月19.8万片晶圆提升至27万片晶圆[4][9] * 长江存储计划将NAND产能从每月21万片晶圆提升至29万片晶圆 并新建每月2万片晶圆的DRAM产能[4][9] * 资本密集度显著 DRAM产能每增加每月1万片晶圆需投资约10-11亿美元 NAND产能每增加每月1万片晶圆需投资约7.2亿美元[4][10] 其他重要内容：投资影响与风险 * 高企且持续上涨的存储价格将使存储厂商受益 但可能对消费电子品牌和供应链造成利润率压力[1][5] * 全球三大HBM供应商的总产能预计从2024年的约326千片晶圆/月增长至2026年的约476千片晶圆/月 显示产能快速扩张[7]