全球内存技术行业研究纪要关键要点 涉及的行业与公司 * 行业为全球内存技术行业 涵盖DRAM和NAND闪存芯片[1] * 涉及的主要内存芯片制造商包括三星电子 SK海力士 美光 南亚科 铠侠等[2][120] * 涉及的主要OEM客户包括一线和二线/白牌OEM厂商[1] * 涉及的主要AI加速器厂商包括英伟达 AMD 谷歌 英特尔 亚马逊 微软 华为等[7][8][14][17] 当前市场动态与价格趋势 * 内存芯片制造商对不接受两位数百分比涨价的OEM客户削减传统DRAM供应[1] * 大多数一线OEM厂商仍拒绝30%以上的DRAM合约涨价 普遍接受10-20%的涨幅 而二线/白牌OEM接受20-30%以上的涨幅[1] * 大宗NAND合约涨价幅度尚不及DRAM 仅为10-15% 高端企业级SSD仍低于10%[1] * 大多数内存芯片制造商的位元增长微乎其微 传统DRAM位元增长低于10% 整体NAND位元增长约为15%[1] * 当前DRAM现货价格异常高企 16Gb DDR4价格为42.5美元 本周再次上涨10%以上 年内迄今上涨1233% 16Gb DDR5价格为27.2美元 本周上涨8% 年内迄今上涨471%[3][6] * 现货价格强势至少可能持续到12月 因所有DRAM制造商都暗示将削减近期供应以期2026年合约价上涨[3] HBM与AI驱动因素 * 新增长的HBM订单获得更有利的2026年合约价格 HBM3e降价幅度极小 HBM4有20%以上的价格溢价[1] * 谷歌的新TPU v7 Ironwood使用192GB HBM3e 较v6的64GB HBM3内容量大幅增加 即使连接9,216个v7单元 谷歌除自研TPU外仍继续使用英伟达GPU[2][7][8] * 英伟达GPU的HBM内容量持续增长 B300使用288GB HBM3e Rubin使用288/384GB HBM4 Rubin Ultra使用1TB HBM4e[9][10][14] * AMD加速器的HBM内容量也呈现增长 MI350X使用288GB HBM3e MI400使用384GB HBM4[11][12][17] * 三星的1c节点DRAM产能提升主要用于HBM4 这可能导致高端LPDDR5或GDDR7短缺[2] * 海力士的HBM4实际销售额已在第四季度记录 生产爬坡按计划进行[2] 中国市场与竞争格局 * 中国本土内存产能已占全球DRAM和NAND的10%以上 但由于良率/质量问题 实际芯片产量仍较低 仅占全球总量的低个位数百分比[2] * 为中国市场推出的降规版AI芯片 如H20使用96GB HBM3 B30/B40使用GDDR7[14] 价格展望与预测 * 芯片制造商对第四季度销售DRAM和NAND兴趣不大 假设2026年价格将进一步上涨且产量增幅低于趋势水平[1] * 大多数OEM厂商似乎只要求第一季度合约价增长高个位数百分比[1] * 保守假设非HBM DRAM平均售价在2025年第四季度/2026年第一季度环比增长22%/7%[1] 风险与市场担忧 * 当前DRAM现货价格基于投机性交易 市场存在对AI泡沫的担忧[3][122] * 投资者担忧谷歌更强大的TPU可能导致英伟达HBM需求降低 三星更激进的1c节点产能扩张或HBM4上量可能对SK海力士产生负面影响 以及海力士的HBM4重新设计/质量问题[2] * 内存股近期涨势因AI泡沫担忧而减弱 尽管预计2025年第四季度至2026年盈利将创历史新高且市盈率仍较低[120][122] 其他重要数据点 * 韩国11月前20天半导体出口额创历史新高 达97.5亿美元 环比增长14% 已连续25个月实现正增长[106][107][113][114] * 超大规模云厂商的资本支出在2025年保持强劲 预计2026年将继续增长 以Meta为首[96][99][105] * 云收入增长依然稳健 AWS和Azure的营业利润率保持在35%和45%以上的高位[97][102][103][104]