行业与公司 * 行业：半导体存储行业，具体为DRAM与NAND Flash领域[1] * 公司：国内厂商包括长鑫存储（DRAM）、长江存储（NAND Flash）、晶合集成、中芯国际、华虹等代工厂，以及拓荆科技、百奥化学、华创、中微、微导纳米、晶智达、中科飞测等设备厂商[4][19]；海外厂商包括三星、海力士、美光、凯霞[1][2][8][13] 核心观点与论据 * 技术演进趋势：全球DRAM发展正转向 4F²架构 与 CBA（Chip-By-Chip Assembly）技术 相结合的道路，以提升存储密度、突破制程微缩瓶颈[1][2][6] * 4F²架构：通过将晶体管从水平改为垂直方向，使存储单元占用面积减少约30%，从而提升单位面积内的存储密度[10] * CBA技术：将存储单元阵列和外围逻辑电路分别制造在不同晶圆上，然后通过键合工艺结合，可避免高温损害逻辑电路、减小芯片面积、缩短生产周期并降低成本[3][12] * 国内厂商地位：国内厂商在此技术路径上进展超前，显示出领先地位[2][4] * 长鑫存储正积极推进4F²与CBA相结合的DRAM技术路径[4] * 长江存储率先在NAND Flash中应用CBA技术（X-Tacking工艺），是该领域的全球领先者[1][12][13] * 技术优势与挑战： * 优势：4F²架构能提升电子进出效率、减少漏电干扰并降低EUV光刻成本[10]；CBA技术预计可提升约30%的芯片密度[14] * 挑战：4F²架构需要将水平晶体管改为垂直晶体管，对高深宽比蚀刻设备提出更高要求[11]；DRAM制程微缩在10纳米及以下面临电容器和感应放大器微缩的难题，影响电连接稳定性、读取速度和可靠性[9] * 全球进展： * DRAM：三星、海力士、美光及长鑫均在推进4F²与CBA技术[8]；三星计划2025年发布CF Square DRAM样品，海力士计划2025年发布4F²键合工艺论文[16][17]；预计海外将在2027至2028年间取得显著进展[16] * NAND Flash：更早采用CBA技术，长江存储的128层和232层产品表现突出；凯霞、三星、海力士等厂商也在跟进，并向300层以上发展[1][2][13] 其他重要内容 * DRAM芯片构成：存储单元阵列约占芯片面积50%，外围逻辑电路约占25%至30%[5]；关键性能参数包括容量、带宽和功耗[5] * 技术路径背景：由于光刻机技术达到瓶颈，以及国内在获取先进制程关键设备上面临困难，架构创新（4F²+CBA）成为提升存储密度的关键路径[6][16] * 具体技术细节： * CF Square：一种采用CBA技术的具体结构，存储单元在下，逻辑电路在上，间距更短，能降低对逻辑电路的耐高温要求[3][15] * 键合方式：主要分为混合键合和熔融键合，国内企业主要使用混合键合[18] * 产业链影响与投资机会： * 产业链机遇：新路径将带来逻辑晶圆代工和相关设备需求的大幅增加[2] * 投资建议：可关注国内DRAM逻辑晶圆代工产业链、核心设备厂商（特别是新增的混合键合设备），以及受益于整体扩产和刻蚀/沉积设备需求增加的国产设备链[19]