涉及的行业与公司 * 行业:全球存储芯片行业,特别是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存市场,以及高带宽内存(HBM)细分领域 [1] * 公司:SK海力士(SK Hynix)、三星电子(Samsung Electronics)、南亚科技(Nanya Tech)、美光(Micron)、西部数据/铠侠(Kioxia & JVs)、长江存储(YMTC)、长鑫存储(CXMT)[5][6][19][20] 核心观点与论据 行业周期与市场展望 * 预计2026年将出现类似1990年代的存储“超级周期”,全球DRAM销售额预计达到1958亿美元(同比增长51%),NAND销售额达到1139亿美元(同比增长45%)[1][9] * 此轮上行周期由AI驱动,预计持续时间较长,类似1992-95年由PC带动的上升周期,并假设2027年销售额仍有10%以上的增长[1] * 平均销售价格(ASP)上涨是关键驱动力(预计2026年DRAM ASP +33%,NAND ASP +26%),而非出货量增长(DRAM bit +14%,NAND bit +15%)[1][9] * 服务器(含HBM)和智能手机是DRAM销售的主要驱动力,而NAND销售主要由SSD和智能手机应用驱动[17][18] 供需动态与价格趋势 * HBM短缺风险:由于新一代GPU/ASIC(如Rubin Ultra, v7, Trn3)的单芯片内存容量强劲增长,HBM年需求增长(50-100%)可能轻易超过晶圆产能增长(低于50%)[2] * 供应约束:尽管资本支出高企(例如SK海力士2025/26年预计为23万亿/35万亿韩元),但大量支出用于基础设施(占总支出30%以上)和制程节点迁移(40%以上),且新产品的制造周期时间延长,导致DRAM和NAND产量增长可能保持在20%以下[3] * 库存与产能利用率:截至2025年12月,DRAM和NAND的成品芯片库存均处于3-4周的低位,低于正常水平的1-2个月;剔除旧闲置产能后,DRAM和NAND工厂的利用率均处于满负荷状态[12][13][14][15] * 价格可持续性:尽管现货价格可能修正,但高ASP预计可持续。传统DRAM合约价格(低于10美元)仍有50%以上的上行空间。HBM市场由于需求强劲且新ASIC/GPU推出,可能成为卖方市场,降价压力小[4] 资本支出与竞争格局 * DRAM资本支出:预计将加速增长,2026年同比增长36%。SK海力士的DRAM资本支出已接近三星,远超美、中、台同业,主要用于HBM产能扩张(如韩国M15X和龙仁新厂)[3][19] * NAND资本支出:复苏势头不强,主要由于利润率较低以及从128/178层向200-300+层迁移困难。长江存储的资本支出增长因被列入美国实体清单而受限[20] * 资本支出结构:非设备支出(如厂房和公用设施)占比很高。剔除传统DRAM设备支出后,HBM相关资本支出可能强劲增长,但传统DRAM和NAND的支出总体保持克制[21] HBM市场深度分析 * 市场规模:预计2026年HBM总市场规模(TAM)将扩大至550亿美元,同比增长58%。增长动力来自强劲的位元增长(+69%)和有限的价格降幅(混合ASP -6%)[23] * 技术演进与竞争:HBM规格快速迭代,HBM4已于2025年9月投入量产,预计将用于英伟达下一代“Rubin”GPU系列。SK海力士在12-Hi HBM3e和HBM4的进展上领先竞争对手1-2个季度[25][27][28] * 市场集中度:SK海力士在HBM市场占据主导地位,预计2025-27年其在HBM销售额中的市场份额将超过50%,而三星电子预计占20%左右[24] * 需求驱动力:除英伟达GPU外,谷歌TPU v7 Ironwood(192GB HBM3e)和AWS Trainium 3(144GB HBM3e)等ASIC芯片的单机HBM容量显著提升,且具备大规模集群扩展能力,进一步推高HBM需求[29][30][31][32][33] 投资建议与公司观点 * 首选标的:SK海力士为全球存储板块首选。同时维持对三星电子和南亚科技的“买入”评级。基于2026年更有利的存储芯片定价环境,上调了三家公司的每股收益(EPS)预测和目标价(PO)[5] * SK海力士:目标价上调至900,000韩元(原800,000韩元)。预计2026年营业利润(OP)达77万亿韩元。HBM领导地位可持续,2026年EPS上调23%,主要基于DRAM ASP上调9%的假设[6] * 三星电子:目标价上调至150,000韩元(普通股,原140,000韩元)。预计2026年营业利润达76万亿韩元。传统DRAM ASP走强将推动周期上行,但HBM仍落后于海力士。2026年EPS上调17%,基于DRAM ASP上调11%的假设[6] * 南亚科技:目标价上调至新台币200元(原178元)。将成为传统DRAM短缺的受益者。2026年EPS上调25%,主要基于DRAM ASP上调12%的假设[6] 其他重要信息 * 下游产品假设:服务器、SSD和智能手机的出货量复苏相对突出;汽车增长也颇具潜力。预计2025-27年,服务器出货量年复合增长率为9.9%,SSD为5.1%,汽车DRAM嵌入式为6.8%[11] * 宏观风险提示:报告包含利益冲突声明,指出美银证券与所覆盖公司有业务往来,投资者应将此报告仅作为投资决策的单一考虑因素[8]
全球存储 - 2026 年存储超级周期的五大关键点与个股思路-Global Memory Tech-Top-5 checkpoints for 2026 memory super-cycle and stock ideas
2025-12-15 09:55